矽力杰集成功率級DrMOS方案
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伴隨著(zhù)CPU, GPU等的性能進(jìn)步和制程發(fā)展，主板的供電設計也迎來(lái)了更多的挑戰，大電流、高效率、空間占用小、動(dòng)態(tài)響應快、保護更智能的需求使得傳統的采用分立MOS的方案逐漸被取代，SPS/DrMOS的解決方案憑借更好的性能表現成為主流。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/202302/443472.htm
SQ29663采用業(yè)界標準封裝，芯片內部集成兩個(gè)高性能的MOS和驅動(dòng)及控制單元，通過(guò)優(yōu)化設計的內部結構和驅動(dòng)控制，能夠實(shí)現高效率、高功率密度以及良好的散熱性能。嚴密的控制和保護邏輯使其能輕松兼容主流的前級控制器，適用于CPU，GPU以及POL的電源設計。
SQ29663
16V/60A集成功率級DrMOS
◆ 60A連續電流輸出能力，80A峰值電流輸出能力
◆ VCC/VDRV/VBST 欠壓保護
◆ 開(kāi)關(guān)頻率可達1MHz
◆ 集成自舉二極管
◆ 兼容3.3V/5V PWM電平，支持三態(tài)信號輸入
◆ 三態(tài)中自舉電容充電功能
◆ 5mV/A實(shí)時(shí)電流上報
◆ 8mV/℃內部溫度上報
◆ 可編程的逐周期峰值限流和谷值限流及故障上報
◆ 負限流保護
◆ 過(guò)熱保護
◆ 上管短路保護及故障上報
◆ 業(yè)界標準的QFN5×6封裝
02 典型應用
圖1 SQ29663典型應用框圖
SQ29663支持5V~16V的Vin電壓范圍。輸入信號兼容3.3V/5V電平，支持三態(tài)信號以實(shí)現不同工作模式的控制。死區時(shí)間，傳播延遲和驅動(dòng)邊沿的調整使其可以高效安全運行。
SQ29663內部集成了8mV/℃的溫度傳感器，通過(guò)TMON實(shí)時(shí)報告溫度，25℃下典型輸出電壓為800mV，TMON內部可上拉或下拉用作故障標志位。SQ29663可以實(shí)時(shí)采樣內部MOSFET的電流信息并重建為與電感電流成正比的三角波，內建的溫度補償使其能達到5mV/A ±5%的精度輸出。SQ29663支持包括OCP，NOCP，OTP，pre-OVP，HSS等多種保護，以實(shí)現安全可靠運行。
圖2 IMON waveform
圖3 IMON精度曲線(xiàn)
03 應用場(chǎng)景
傳統的供電設計，是將上行MOS管、下行MOS管和驅動(dòng)IC單獨放置，致使PCB面積難以得到有效利用，并且降低電流的整體轉換效率，這對于對供電要求越來(lái)越高的處理器而言，演化而成一個(gè)亟待解決的問(wèn)題。
筆記本電腦、各類(lèi)服務(wù)器的CPU以及顯卡GPU的供電系統（VRM），輸出電流大，要求具有快速瞬態(tài)響應特性，通常采用多相同步BUCK降壓轉換器。SQ29663通過(guò)高集成整合，將MOS管與驅動(dòng)IC整合在一起，集成自舉二極管，最大程度減少寄生電感、電容影響，降低系統整體尺寸，大幅提高功率密度，滿(mǎn)足高端主板節能、低溫、高效能超頻等特色，提供優(yōu)質(zhì)供電。
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