Vishay推出兩款采用SMA(DO-214AC)封裝的新型第7代1200 V FRED Pt Hyperfast恢復整流器
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出兩款新型第七代1200 V FRED Pt? Hyperfast恢復整流器---VS—E7MH0112-M3和VS-E7MH0112HM3。這兩款1 A整流器采用SMA(DO-214AC)封裝,反向恢復電荷(Qrr)和正向壓降達到同類(lèi)器件先進(jìn)水平。Vishay Semiconductors VS—E7MH0112-M3和經(jīng)過(guò)AEC-Q101認證的VS-E7MH0112HM3可用來(lái)優(yōu)化工業(yè)和汽車(chē)應用,提高AC/DC和DC/DC轉換器輔助功能和低功率級的能效。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/202301/442731.htm日前發(fā)布的整流器快速恢復時(shí)間為75 ns,典型 Qrr 低至150 nC。器件典型正向壓降1.10 V,比市場(chǎng)上接近的競品低10%,寄生電容降低50 %,且不影響器件可靠性。此外,與上一代解決方案相比,整流器反向恢復能量(Erec)提高10%,軟恢復有助于降低EMI。
器件可用作反激輔助電源的鉗位、緩沖和續流二極管,也可用作自舉驅動(dòng)功能的高頻整流器,同時(shí)可為最新快速開(kāi)關(guān)IGBT和Si / SiC MOSFET提供去飽和保護。VS-E7MH0112-M3和汽車(chē)級VS-E7MH0112HM3典型應用包括工業(yè)和通信設備、電動(dòng)汽車(chē)(EV)車(chē)載充電器和電機、以及?uk轉換器和工業(yè)LED PFC CrM SEPIC電路。
VS-E7MH0112-M3和VS-E7MH0112HM3采用平面結構,通過(guò)鉑摻雜壽命控制,在不影響性能的情況下確保系統可靠性和穩定性,同時(shí)經(jīng)過(guò)優(yōu)化的存儲電荷和低恢復電流最大限度減小開(kāi)關(guān)損耗并降低功耗。器件符合RoHS標準,無(wú)鹵素,潮濕敏感度達到J-STD-020標準1級,可在+175 °C高溫下工作。
第7代器件現可提供樣品并已實(shí)現量產(chǎn),供貨周期為20周。
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