基于安森美半導體雙管正激NCL30125的300W電源
雙管正激式變換器與單管正激拓撲的大部分原理是相同的,但雙管正激式的突出優(yōu)點(diǎn)有三:
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/202211/440955.htm(1)變壓器儲能有釋放回路,不需要另設復位電路或復位繞組。主要原因是在開(kāi)關(guān)管導通時(shí),變壓器勵磁,而開(kāi)關(guān)管閉合時(shí)由橋臂上的兩個(gè)二極管續流,磁芯去磁,同時(shí)磁芯能量返回直流電源。
(2)變壓器初級電路半導體器件承受的電壓等于轉換器的輸入電壓Ui。而單管正激需要高得多的耐壓器件。
(3)雙管正激相對于其他多管的變換器拓撲而言,兩只開(kāi)關(guān)管無(wú)直通短路的危險。因兩只開(kāi)關(guān)管在橋的對角線(xiàn)上,正常工作時(shí)就是兩管同時(shí)開(kāi)通,同時(shí)關(guān)斷,此時(shí)變壓器初級繞組承受電壓,所以沒(méi)有直通危險。而全橋和半橋拓撲則有直通的危險。
目前市面上雙管正激方案都是采用單管控制器加變壓器或光耦來(lái)實(shí)現上管驅動(dòng),ON Semiconductor新推出NCL30125雙管正激方案,上管與下管驅動(dòng)分離,并通過(guò)控制復位MOS可解決開(kāi)機之前MOS中點(diǎn)電壓(HB)不為0的issue。
?場(chǎng)景應用圖
?展示板照片
?方案方塊圖
?核心技術(shù)優(yōu)勢
1. 上管與下管驅動(dòng)分離,省去上管驅動(dòng)變壓器及其周邊期間,整體成本降低 2. 電源架構簡(jiǎn)化,可減少電源尺寸,實(shí)現小型化 3. 通過(guò)控制復位MOS可解決開(kāi)機之前MOS中點(diǎn)電壓(HB)不為0的issue。
?方案規格
1. 輸入電壓:180V~264V
2. 輸入電流:2A @ 180Vin & 滿(mǎn)載
3. 輸入頻率:47~63Hz
4. 輸出功率:300W
5. 效率:88.4% @ 230Vin & 板端測試
6. 輸出電壓/電流:12V/25A
7. 待機功耗:<0.3W @ 230Vin
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