淺談濾波器

隨著(zhù)現在人們對網(wǎng)絡(luò )的速度需求的不斷提升，手機網(wǎng)絡(luò )也在不斷的演進(jìn)，由最初的2G到現在的5G，網(wǎng)絡(luò )速度在不斷的提升，由最初的手機只能用于通話(huà)到現在的智能社會(huì )，萬(wàn)物互聯(lián)，給人們的生活帶來(lái)了很大的便利，同時(shí)這些也給手機射頻的設計帶來(lái)了很多挑戰，濾波器的選型就是其中一個(gè)，網(wǎng)絡(luò )的不斷演進(jìn)導致架構越來(lái)越復雜，頻段越來(lái)越多，頻段與頻段之間的干擾，頻段的倍頻干擾都是目前濾波器的設計需要考慮的問(wèn)題，下面就和大家簡(jiǎn)單介紹一下濾波器的工藝和參數。

1. 濾波器工藝

目前濾波器主要的工藝：

SAW，BAW，IPD，LTCC

SAW: Surface Acoustic Wave聲表面波濾波器,利用壓電效應,當對晶體施以電壓，晶體將發(fā)生機械形變，將電能轉換為機械能。當這種晶體被機械壓縮或展延時(shí)，機械能又轉換為電能。在晶體結構的兩面形成電荷，使電流流過(guò)端子，形成端子間的電壓。SAW濾波器有一定的局限。SAW在1.5GHz以下使用非常合適，但是在工作頻率超過(guò)1.5GHz時(shí)，SAW的Q值開(kāi)始下降，到2.5GHz時(shí)，SAW的選擇性已經(jīng)只能用在一些要求比較低的場(chǎng)合。

BAW：Bulk Acoustic Wave帶諧振腔體聲波濾波器,聲波垂直傳播，貼嵌于石英基板頂、底兩側的金屬對聲波實(shí)施激勵，使聲波從頂部表面反彈至底部，以形成駐聲波。在>2.5GHz的頻段，BAW壓電層的厚度必須在幾微米量級，因此，要在載體基板上采用薄膜沉積和微機械加工技術(shù)實(shí)現諧振器結構。為了把聲波的能量局限在濾波器體內，通過(guò)堆疊不同厚度和密度的薄層形成一個(gè)聲布拉格（Bragg）反射器?；蛘咄ㄟ^(guò)堆疊不同材質(zhì)的薄層形成一個(gè)反射器。BAW濾波器在高頻段可實(shí)現低插入損耗和高Q值，成為高性能射頻系統的首選。BAW濾波器的成本目前還很高，這成為了限制BAW普及的重要因素。

IPD：Integrated Passive Devices是半導體無(wú)源器件技術(shù)，可以用來(lái)制作LC濾波電路，所制成的濾波器稱(chēng)為IPD濾波器。一種集成LC低通濾波器制作工藝為通過(guò)光刻、金屬沉積、干法刻蝕、高溫氧化將電感和電容刻蝕在硅基板上，電感和電容之間通過(guò)引線(xiàn)孔光刻方式實(shí)現連接，利用通孔和PCB載板接合封裝，簡(jiǎn)易圖片如下：

LTCC：Low Temperature Co-fired Ceramic即低溫共燒結陶瓷，是1982年由美國休斯公司開(kāi)發(fā)出的新型材料技術(shù)。LTCC是將低溫燒結陶瓷粉制成厚度精確而且致密的生瓷帶，在生瓷帶上利用激光打孔、微孔注漿、精密導體漿料印刷等工藝制出所需要的電路圖形，并將多個(gè)無(wú)源器件嵌入其中進(jìn)行疊壓，最后在1000℃以下進(jìn)行燒結，從而形成LTCC無(wú)源器件。LTCC制造圖如下：

2. 濾波器的主要參數

通帶帶寬：需要通過(guò)的頻帶寬度。

帶內插損：通過(guò)濾波器的頻率帶寬范圍內的信號損耗，插損越小，性能越好。

帶外抑制：通帶頻率范圍以為的衰減能力，代表其對不需要的信號的衰減能力。

在濾波器設計的過(guò)程中，這是兩個(gè)相互平衡的指標，對于帶外抑制比較好的器件必然會(huì )引起其帶內插損的增加，如果設計考慮帶內插損比較小，帶外抑制必然會(huì )降低。

溫度漂移：濾波器在不同溫度下S參數發(fā)生漂移的現象。參考下圖的S參數:

溫度上升時(shí)，S參數向左移動(dòng)，這樣會(huì )導致帶內插損在通帶的高頻部分增大，溫度降低時(shí)，S參數向右移動(dòng)，這樣會(huì )導致帶內插損在通帶的低頻部分增大，對于不同工藝的濾波器其溫漂效果不一樣，BAW工藝的濾波器的溫漂會(huì )很小，有些甚至可以做到零溫漂。

耐功率能力：指濾波器能夠承受的最大功率，分為兩種：極限耐功率能力和可持續耐功率能力，一般使用CW波進(jìn)行測試，

如上圖表示的是對應測試頻點(diǎn)極限耐功率能力。

如上圖表示的是可持續耐功率能力。

以上是對濾波器的一些粗略簡(jiǎn)介，對于客戶(hù)不同的需求，可以提供不同的選擇，希望能夠對大家在認識和了解濾波器有一些幫忙。