大聯(lián)大詮鼎集團推出基于Innoscience產(chǎn)品的高效超薄型200W LED驅動(dòng)電源方案

致力于亞太地區市場(chǎng)的領(lǐng)先半導體元器件分銷(xiāo)商---大聯(lián)大控股近日宣布，其旗下詮鼎推出基于英諾賽科（Innoscience）INN650D01場(chǎng)效應晶體管的高效超薄型200W LED驅動(dòng)電源方案。

圖示1-大聯(lián)大詮鼎基于Innoscience產(chǎn)品的高效超薄型200W LED驅動(dòng)電源方案的展示板圖

隨著(zhù)人們對燈具品質(zhì)的要求越來(lái)越高，傳統的LED驅動(dòng)器已經(jīng)無(wú)法滿(mǎn)足小而薄的燈具設計。并且由于LED需要長(cháng)期在狹小空間內工作，因此散熱性也是一個(gè)嚴重制約應用安全的問(wèn)題。在這種情況下，將高頻高效的氮化鎵應用于LED驅動(dòng)電源上，借助氮化鎵高頻、高轉換效率、高擊穿電壓等特性，可以有效縮小產(chǎn)品體積并減少發(fā)熱情況，是高端燈具的理想選擇。由大聯(lián)大詮鼎基于Innoscience INN650D01場(chǎng)效應晶體管推出的高效超薄型200W LED驅動(dòng)電源方案能夠滿(mǎn)足LED小型化設計的同時(shí)，提供高效的電源轉換能力。

圖示2-大聯(lián)大詮鼎基于Innoscience產(chǎn)品的高效超薄型200W LED驅動(dòng)電源方案的場(chǎng)景應用圖

本方案采用超薄設計，其內置Innoscience的高頻高效功率管INN650D01+INN650D02，采用PFC+LLC+SR架構，具有可達35W/in3的高功率密度，峰值效率達96%。借助此方案可大大提升LED的照明效率，減小產(chǎn)品體積，非常適用于對空間限制有嚴苛要求的應用。

英諾賽科（Innoscience）是一家致力于第三代半導體硅基氮化鎵外延及器件研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè)，采用IDM（Integrated Device Manufacture）全產(chǎn)業(yè)鏈模式，建立了全球首條產(chǎn)能最大的8英寸GaN-on-Si晶圓量產(chǎn)線(xiàn)。公司核心技術(shù)團隊由眾多資深的國際一流半導體專(zhuān)家組成，公司的目標是以更低的價(jià)格，向客戶(hù)提供品質(zhì)一流、可靠性?xún)?yōu)異的GaN器件，并且實(shí)現GaN技術(shù)在市場(chǎng)的廣泛應用。在本方案中采用的INN650D01是公司旗下的增強型氮化鎵場(chǎng)效應晶體管，具有高頻高功率的特性。

圖示3-大聯(lián)大詮鼎基于Innoscience產(chǎn)品的高效超薄型200W LED驅動(dòng)電源方案的方塊圖

在以氮化鎵為首的第三代半導體材料應用越來(lái)越廣泛的今天，大聯(lián)大詮鼎攜手氮化鎵器件制造專(zhuān)家Innoscience聯(lián)手推出的200W LED驅動(dòng)電源方案將先進(jìn)的氮化鎵技術(shù)應用其中，能夠在提高電源效率的同時(shí)，顯著(zhù)縮小LED燈具的體積，降低散熱需求，滿(mǎn)足市場(chǎng)對于大功率、輕薄型LED燈具設計需求。

核心技術(shù)優(yōu)勢：

INN650D01

●   Vds最大650V；

●   Rds最大130mΩ；

●   Qg典型值0.9nC；

●   Ids最大34A；

●   Qoss典型值26nC；

●   Qrr典型值0nC。

方案規格：

●   輸入電壓：Vac180-264V；

●   輸入電壓頻率：50Hz；

●   輸出電壓：48V（恒流輸出（4.2A））；

●   輸出最大功率：200W；

●   輸出電壓紋波：＜500mV；

●   最高效率：96%；

●   板長(cháng)寬厚196*35*13mm。