大聯(lián)大世平集團推出基于onsemi產(chǎn)品的5G基站電源方案

2022年8月9日，致力于亞太地區市場(chǎng)的領(lǐng)先半導體元器件分銷(xiāo)商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下世平推出基于安森美（onsemi）FAN65008B同步降壓IC的5G基站電源方案。

圖示1-大聯(lián)大世平集團推出基于onsemi產(chǎn)品的5G基站電源方案的展示板圖

5G時(shí)代的到來(lái)，從根本上顛覆了現有的傳統通訊方式，它加速了現實(shí)社會(huì )與互聯(lián)網(wǎng)空間的快速融合，讓人與人、人與機器的交互都步入了一個(gè)全新的水平。而發(fā)展5G的一重要目標就是在提高信息傳輸速率、減少延遲的同時(shí)，節約能源、降低系統成本。隨著(zhù)5G信號大規模覆蓋需求增大，大量5G基站的建設已迫在眉睫，這勢必會(huì )為電源市場(chǎng)帶來(lái)新的機會(huì )。順應此趨勢，大聯(lián)大世平基于安森美FAN65008B同步降壓IC推出了5G基站電源方案。 

圖示2-大聯(lián)大世平集團推出基于onsemi產(chǎn)品的5G基站電源方案的場(chǎng)景應用圖

安森美FAN65008B是一款高性能同步PWM降壓穩壓器，其集成了高邊和低邊功率MOSFET，支持從4.5V到65V的寬電壓范圍，能夠處理的連續電流高達10A。此外，onsemi的PowerTrench MOSFET工藝與領(lǐng)先業(yè)界的封裝技術(shù)將FAN65008B集成在一個(gè)四方扁平無(wú)引線(xiàn)（PQFN）封裝中，能夠在電源路徑上提供極低的寄生效應，使開(kāi)發(fā)人員能夠實(shí)現98.5%的峰值能效。這意味著(zhù)使用FAN65008B比使用一個(gè)外部MOSFET的方案具有更低的振鈴和更低的電磁干擾性（EMI）。除了上述特性，FAN65008B還具有可調過(guò)流保護、熱關(guān)斷、過(guò)壓保護和短路保護等功能，可以保護器件本身和任何下游電路不受損害。

圖示3-大聯(lián)大世平集團推出基于onsemi產(chǎn)品的5G基站電源方案的方塊圖

在5G技術(shù)發(fā)展如此快速的進(jìn)程中，基站電源要兼顧低成本、高能效以及方便極簡(jiǎn)、快速部署的需求，大聯(lián)大世平聯(lián)手onsemi推出的5G基站電源方案針對市場(chǎng)痛點(diǎn)進(jìn)行優(yōu)化，能夠滿(mǎn)足行業(yè)需求，助力5G基站建設快速推進(jìn)。

核心技術(shù)優(yōu)勢：

?   寬輸入電壓范圍：4.5V至65V；

?   連續輸出電流：10A；

?   具有輸入電壓前饋的固定頻率電壓模式PWM控制；

?   0.6V參考電壓，精度為0.67%；

?   可調開(kāi)關(guān)頻率：100kHz至1MHz；

?   雙LDO用于單電源操作并減少功率損耗；

?   用于輕負載的可選CCM PWM模式或PFM模式；

?   寬工作范圍的外部補償；

?   可調軟啟動(dòng)和Pre?Bias啟動(dòng)；

?   Enable功能具有可調節的輸入電壓欠壓鎖定（UVLO）；

?   Power Good指示；

?   過(guò)流保護、熱關(guān)斷、過(guò)壓保護、欠壓保護和短路保護；

?   高性能薄型6mm x 6mm PQFN封裝；

?   無(wú)鉛且符合RoHS標準。

方案規格：

?   輸入電壓范圍：30V至60V；

?   輸出電流：10A；

?   輸出電壓：24V；

?   輸出電壓漣波：40mVp-p；

?   切換頻率：300kHz。