超強驅動(dòng)能力，具備完善的保護功能！納芯微發(fā)布全新驅動(dòng)器NSi66x1A/NSi6601M

納芯微單通道隔離式柵極驅動(dòng)器兩款新品NSi66x1A和NSi6601M雙雙發(fā)布，均適用于驅動(dòng)SiC，IGBT和MOSFET等功率管，兼具車(chē)規（滿(mǎn)足AEC-Q100標準）和工規兩種等級，廣泛適用于新能源汽車(chē)、空調、電源、光伏等應用場(chǎng)景。

NSi66x1A--帶保護功能的智能隔離單管驅動(dòng)（NSI6611A/NSI6651A）

產(chǎn)品特性

?   超強驅動(dòng)能力，可以提供最大10A的拉灌電流能力，支持軌到軌輸出和分離輸出

?   完善的保護功能：DESAT短路保護、故障軟關(guān)斷、彌勒鉗位、欠壓保護；短路故障或欠壓發(fā)生時(shí)，還能通過(guò)單獨的引腳報告進(jìn)行反饋

?   輸入與輸出端均采用雙電容增強隔離技術(shù)，外加納芯微Adaptive OOK編碼技術(shù)，最小共模瞬變抗擾度（CMTI）高達150kV/μs，提高了系統的魯棒性

?   驅動(dòng)器側電源電壓VCC2最大為32V，輸入側VCC1為3V至5.5V電源電壓供電；VCC1和VCC2都具有欠壓保護（UVLO）

?   極低的傳輸延時(shí)，低至80ns

?   NSi6611支持ASC特色的功能，可在緊急情況下強制輸出為高

?   工作環(huán)境溫度：-40℃ ~ 125℃

?   符合 RoHS 標準的封裝類(lèi)型：SOW16

功能框圖

NSi66x1A 超強驅動(dòng)能力，有效節約外圍電路

在大功率的應用中，用戶(hù)一般會(huì )選擇如IGBT和SiC這樣的大功率管子，因而功率管的Qg也會(huì )更大，對產(chǎn)品驅動(dòng)電流能力的要求變得更高了。

NSi66x1A能夠提供最大10A的拉罐電流能力，比起傳統方案，不需要額外的Buffer 電路，即可直接驅動(dòng)大功率的管子。節省了Buffer電路的費用和PCB的體積，同時(shí)還不需要額外的電路做匹配，增加了系統的穩定性。此外，NSi66x1A內部集成彌勒鉗位，支持分離輸出，使用簡(jiǎn)單，外圍器件更少，凸顯性?xún)r(jià)比。

使用NSi66x1A方案應用電路圖

大功率應用中傳統方案驅動(dòng)電路圖

NSi6611A 支持ASC功能

什么是ASC? 

ASC即主動(dòng)短路（Active short circuit，簡(jiǎn)稱(chēng)ASC），是電機系統的一種安全保護機制，是將電機的UVW三相短路（通過(guò)?對功率管的開(kāi)關(guān)，實(shí)現上三橋臂短路或下三橋臂短路）。

NSi6611A支持ASC功能，可以在電機處于轉速過(guò)高，或者突然發(fā)生制動(dòng)等其他異常時(shí)，通過(guò)三相短路的方式，讓電機內耗電流，降低電機產(chǎn)生的反電動(dòng)勢，使其不超過(guò)高壓電池提供的母線(xiàn)電壓，確保動(dòng)力電池、母線(xiàn)電容及其它高壓器件不被損壞，從而保護電機和電氣系統。

NSi6611A pin1 引腳便是ASC 功能。如下ASC時(shí)序圖可以看到，即使在input是低電平，或者VCC1欠壓情況下，當pin1引腳電平是高電平時(shí)，ASC功能就會(huì )使能，OUT會(huì )強制輸出為高，打開(kāi)功率管。當然，如果用戶(hù)不需要ASC 功能，則可以將NSi6611A pin1 引腳懸空，或者下拉到GND2。

NSi6611A ASC 時(shí)序圖

案例詳解

為了實(shí)現系統的ASC功能，UVW三相下橋臂的管子驅動(dòng)IC可以使用三顆NSi6611A，將其pin1 連接到一起，連接點(diǎn)命名為"ASC Trigger"，默認該點(diǎn)電壓是低電平。當系統檢測到故障時(shí)，如母線(xiàn)電壓過(guò)高時(shí)，外部觸發(fā)信號使"ASC Trigger"為高電平，這時(shí)三顆NSi6611會(huì )強制打開(kāi) UVW三相下橋臂的管子，實(shí)現電機下三橋臂短路，實(shí)現ASC功能。NSi6611A被外部觸發(fā)"ASC Trigger"為高電平到芯片OUT 強制輸出為高，時(shí)間為0.66us (tASC_r), 響應迅速，及時(shí)保護系統。

NSi6601M--帶彌勒鉗位功能的高可靠性隔離單管驅動(dòng)

產(chǎn)品特性

?   具有很強的驅動(dòng)能力，可提供5A/5A的拉灌電流峰值電流

?   集成彌勒鉗位功能，鉗位電流高達5A，有效抑制因為彌勒效應致使管子誤開(kāi)通，確保了系統的可靠性

?   超高的共?？箶_能力：150 kV/us

?   驅動(dòng)器側電源電壓VCC2最大為32V，輸入側VCC1為3.1V至17V電源電壓供電；VCC1和VCC2都具有欠壓保護（UVLO）

?   符合 RoHS 標準的封裝類(lèi)型：SOP8，SOW8

?   工作環(huán)境溫度：-40℃ ~ 125℃

?   符合 RoHS 標準的封裝類(lèi)型：SOW16

功能框圖

NSi6601M：有效解決高壓高頻系統中高dv/dt

隨著(zhù)第三代半導體SiC MOSFET的興起，更高壓、更高頻、更小體積、更大功率的系統正成為新的發(fā)展趨勢。然而在高壓高頻的應用中系統在運行過(guò)程中卻總是容易因為dv/dt過(guò)高，導致功率管子被燒壞。NSi6601M則能很好解決這一問(wèn)題。

案例詳解

使用下圖的電路作為例子說(shuō)明。系統在開(kāi)關(guān)的過(guò)程中，SW產(chǎn)生的dv/dt 通過(guò)彌勒電容Cgd，會(huì )導致gate產(chǎn)生電壓，如果這個(gè)電壓高于管子的開(kāi)通電壓，會(huì )導致管子誤開(kāi)通，會(huì )造成上下管短路，燒毀管子。

NSi66001MC集成彌勒鉗位功能，NSi6601M可以檢測到gate電壓的變化，當gate產(chǎn)生的電壓高壓2V時(shí)，NSi6601M內部彌勒鉗位功能將被開(kāi)啟，將dv/dt 通過(guò)Cgd產(chǎn)生的電流以最小阻抗路徑釋放到VEE，在gate電壓鉗位到足夠低的電壓，防止下管Q2誤開(kāi)通。

簡(jiǎn)化應用電路圖

NSi6601M隔離耐壓高，寬體SOW8封裝Vpk 高達2121V，同時(shí)CMTI抗干擾能力超過(guò)150kv/us，非常適合高頻、高壓、高可靠性的應用場(chǎng)景，符合電源行業(yè)發(fā)展的趨勢。

免費送樣

NSi66x1A/NSi6601M系列產(chǎn)品均可提供樣品。