意法半導體雙通道柵極驅動(dòng)器優(yōu)化并簡(jiǎn)化SiC和IGBT開(kāi)關(guān)電路

意法半導體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅動(dòng)器在高壓電力變換和工業(yè)應用中節省空間，簡(jiǎn)化電路設計。

IGBT驅動(dòng)器STGAP2HD 和SiC MOSFET驅動(dòng)器STGAP2SICD 利用意法半導體最新的電隔離技術(shù)，采用SO-36W 寬體封裝，能夠耐受6kV瞬變電壓。此外，±100V/ns dv/dt 瞬變耐量可防止在高電噪聲工況下發(fā)生雜散導通現象。這兩款驅動(dòng)器都提供最高4A的柵極控制信號，雙輸出引腳為柵極驅動(dòng)帶來(lái)更多靈活性，支持開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)間單獨調整。有源米勒鉗位功能可防止柵極在半橋拓撲快速換向過(guò)程中出現尖峰電壓。

電路保護功能包括過(guò)熱保護、安全操作看門(mén)狗，每個(gè)通道都有欠壓鎖定 (UVLO)機制，防止驅動(dòng)器在危險的低效模式下啟動(dòng)。按照 SiC MOSFET的技術(shù)要求，STGAP2SICD 提高了 UVLO的閾值電壓，以?xún)?yōu)化晶體管的能效。

每款器件都有一個(gè)在雙低邊不對稱(chēng)半橋應用中同時(shí)開(kāi)通兩個(gè)通道的iLOCK 引腳和防止在傳統的半橋電路中出現直通電流的互鎖保護機制。這兩款驅動(dòng)器在高壓軌上的額定電壓都達到 1200V，輸入到輸出傳播時(shí)間為 75ns，PWM控制精度很高。

意法半導體的新雙通道電流隔離柵極驅動(dòng)器具有專(zhuān)用的關(guān)斷引腳和制動(dòng)引腳，以及待機省電引腳，目標應用包括電源、電機、變頻器、焊機和充電器。此外，輸入引腳兼容最低3.3V的TTL和 CMOS 邏輯信號，以簡(jiǎn)化驅動(dòng)器與主微控制器或DSP處理器的連接。

STGAP2HD 和 STGAP2SICD 現已投產(chǎn)。EVALSTGAP2HDM 和 EVALSTGAP2SICD演示板也已上市，用于快速評估驅動(dòng)器在驅動(dòng)半橋功率級時(shí)的驅動(dòng)特性。