Syndion GP：賦能先進(jìn)功率器件的未來(lái)

最近，智能手機、筆記本電腦、游戲機和其他我們喜歡用的設備所使用的邏輯芯片和存儲芯片可能正占據著(zhù)諸多新聞頭條，還有其他一些半導體，雖然并非為大眾所熟知，但它們同樣無(wú)處不在。用于控制或轉換電力的功率器件就是個(gè)很好的例子。如今功率器件在我們日益數字化的世界中發(fā)揮著(zhù)至關(guān)重要的作用，支持從移動(dòng)設備、空調與電飯煲等家用電器到電動(dòng)汽車(chē)和高鐵的一切，而且它們的應用還在迅速增長(cháng)。

隨著(zhù)這些應用的不斷拓展，它們的功能也必須改進(jìn)，以支持更高電壓、更快開(kāi)關(guān)和更高效率。對于芯片制造商而言，先進(jìn)的功率器件正在加速實(shí)現更精確的制造工藝，如高深寬比刻蝕。

過(guò)去的功率器件通常在數十伏到幾百伏電壓之間運行；現在它們需要在更高電壓的環(huán)境中運行——高達甚至超過(guò)1000伏。

現在，這些功率器件需要在不犧牲外形因素的情況下提高功率容量并改進(jìn)開(kāi)關(guān)性能，這可以通過(guò)采用更高深寬比的溝槽來(lái)解決。為此，芯片制造商需要極其精確且均勻的深硅刻蝕工藝來(lái)創(chuàng )建這些對實(shí)現器件性能來(lái)說(shuō)至關(guān)重要的溝槽。這些深溝槽的深寬比可以達到60:1甚至更高，并且要求出色的刻蝕均勻性和輪廓。我們不妨這樣來(lái)比較：世界上最高的建筑之一哈利法塔的深寬比約為9:1，這僅為未來(lái)特種技術(shù)深硅溝槽深寬比的1/6。

這些器件的精密制造并非易事。泛林集團在刻蝕領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位，一直在為這一重要應用以及其他應用開(kāi)發(fā)所需的設備。全新Syndion GP正是基于我們經(jīng)生產(chǎn)驗證的、用于深硅刻蝕的200mm DSiE?和領(lǐng)先的300mm Syndion產(chǎn)品來(lái)開(kāi)發(fā)的。

Syndion GP為功率器件和其他器件的一系列應用提供了200mm遷移至300mm橋接解決方案，包括深度、關(guān)鍵尺寸均勻性以及輪廓控制，讓芯片制造商能夠實(shí)現未來(lái)的器件需求。