意法半導體新MDmesh? K6 800V STPOWER MOSFET提高能效，最大限度降低開(kāi)關(guān)功率損耗
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STPOWER MDmesh K6 新系列超級結晶體管改進(jìn)多個(gè)關(guān)鍵參數，最大限度減少系統功率損耗，特別適合基于反激式拓撲的照明應用，例如， LED 驅動(dòng)器、HID 燈，還是適用于電源適配器和平板顯示器的電源。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/202110/429084.htm意法半導體 800V STPOWER MDmesh K6系列， 為這種超級結晶體管技術(shù)樹(shù)立了高性能和易用性兼備的標桿。MDmesh K6 的RDS(on) x 面積參數在市場(chǎng)上現有800V產(chǎn)品中處于領(lǐng)先水平，能夠實(shí)現緊湊的集高功率密度與市場(chǎng)領(lǐng)先的能效于一身新的新設計。
此外，K6 系列的閾壓比上一代 MDmesh K5更低，可使用更低的電壓驅動(dòng)，從而降低功耗并提高能效，主要用于零功耗待機應用?？倴艠O電荷 (Qg) 也非常低，可以實(shí)現高開(kāi)關(guān)速度和低損耗。
芯片上集成一個(gè) ESD 保護二極管，將 MOSFET 的整體魯棒性提高到人體模型 (HBM) 2 級。
意大利固態(tài)照明創(chuàng )新企業(yè)TCI的首席技術(shù)官、研發(fā)經(jīng)理 Luca Colombo 表示:“我們已經(jīng)測評了新的超結超高壓 MDmesh K6 系列的樣片，并注意到其出色的 Rdson* 面積和總柵極電荷 (Qg) 性能特點(diǎn)，給我們印象深刻?！?/p>
采用 TO-220 通孔封裝的 STP80N240K6 (RDS(on)max = 0.22?, Qgtyp = 25.9nC)是首批量產(chǎn)的 MDmesh K6 MOSFET，ST eSTore網(wǎng)上商店現已提供免費樣片。DPAK 和 TO-220FP 版本將于 2022 年 1 月前量產(chǎn)。訂購1000 件，單價(jià)1.013 美元起。
意法半導體將于 2022 年前推出MDmesh K6 的完整產(chǎn)品組合，將導通電阻RDS(on)范圍從 0.22Ω 擴大到 4.5Ω，并增加一系列封裝選項，包括 SMD 和通孔外殼。
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