泛林集團推出革命性的新刻蝕技術(shù)，推動(dòng)下一代3D存儲器件的制造

通過(guò)技術(shù)和Equipment Intelligence^?（設備智能）的創(chuàng )新，Vantex?重新定義了高深寬比刻蝕，助力芯片制造商推進(jìn)3D NAND和DRAM的技術(shù)路線(xiàn)圖。

近日，泛林集團 近日發(fā)布了專(zhuān)為其最智能化的刻蝕平臺Sense.i?所設計的最新介電質(zhì)刻蝕技術(shù)Vantex??；诜毫旨瘓F在刻蝕領(lǐng)域的領(lǐng)導地位，這一開(kāi)創(chuàng )性的設計將為目前和下一代NAND和DRAM存儲設備提供更高的性能和更大的可延展性。

泛林集團Vantex?新型刻蝕腔室搭載其行業(yè)領(lǐng)先的Sense.i?刻蝕平臺

3D存儲設備通常被應用于例如智能手機、顯卡和固態(tài)存儲驅動(dòng)等。芯片制造商們一直以來(lái)都在通過(guò)縱向增加設備尺寸和橫向減少關(guān)鍵尺寸(CD)持續降低先進(jìn)技術(shù)產(chǎn)品的位成本，將3D NAND和DRAM中的刻蝕深寬比提升至更高水平。

Vantex的全新腔室設計能夠以更高的射頻(RF)功率刻蝕更高深寬比的器件，提升產(chǎn)能，降低成本。更高的功率和射頻脈沖技術(shù)的結合可以實(shí)現嚴苛的CD控制，從而改進(jìn)器件功能。

根據3D NAND設備的技術(shù)路線(xiàn)圖，每一代刻蝕都需要實(shí)現更大的深度，這也推動(dòng)了提升刻蝕輪廓均勻性的需求。Vantex技術(shù)控制了刻蝕的垂直角度，以滿(mǎn)足這些3D器件結構設計密度要求，并在整個(gè)300mm晶圓上實(shí)現高良率。

 “10多年來(lái)，泛林集團一直在高深寬比刻蝕領(lǐng)域保持行業(yè)領(lǐng)先，我們所獨有的經(jīng)驗使Vantex的腔室設計從一開(kāi)始就能夠為未來(lái)的許多技術(shù)節點(diǎn)提供可延展性和創(chuàng )新性?！?泛林集團高級副總裁、刻蝕產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理Vahid Vahedi表示，“Vantex重新定義了刻蝕平臺性能和生產(chǎn)效率的行業(yè)標桿，這一突破性的刻蝕技術(shù)對于客戶(hù)來(lái)說(shuō)非常有吸引力?！?/p>

泛林集團Sense.i刻蝕平臺具有Equipment Intelligence^?（設備智能）功能，可以從數百個(gè)傳感器收集數據，監測系統和工藝性能。借助Sense.i系統的高帶寬通信，Vantex刻蝕腔室在每個(gè)晶圓中采集的數據多于市場(chǎng)上其他任何設備——它能夠更有效地分析和利用數據，以提高晶圓上和晶圓間的性能。

泛林集團將持續向存儲器行業(yè)的領(lǐng)軍客戶(hù)提供Sense.i平臺上的Vantex以期獲得客戶(hù)認可和重復訂單，助力客戶(hù)在2021年實(shí)現高量產(chǎn)。