GaN 器件的直接驅動(dòng)配置

集成柵極驅動(dòng)的75mΩGaN 器件

TI 的LMG341x 系列600V GaN 器件是業(yè)界首個(gè)集成GaN FET 外加驅動(dòng)器和保護功能的器件。它是一個(gè)8mm x 8mm 四方扁平無(wú)引線(xiàn)（QFN）多芯片模塊（MCM），包括一個(gè)GaN FET 和具有集成20V 串聯(lián)FET 的驅動(dòng)。RDSON 的總電阻為75mΩ。

該器件的框圖如圖4 所示。柵極驅動(dòng)器提供GaN FET 的直接驅動(dòng)能力，并具有內置的降壓-升壓轉換器，以產(chǎn)生關(guān)閉GaN FET 所需的負電壓。柵極驅動(dòng)使用12V 單電源供電，并具有一個(gè)內部低壓差穩壓器（LDO），可產(chǎn)生一個(gè)5V 電源，為驅動(dòng)和其他控制電路供電。內部欠壓鎖定（UVLO）電路使安全FET 保持關(guān)閉狀態(tài)，直至輸入電壓超過(guò)9.5V。一旦UVLO 超過(guò)其自身閾值，降壓/升壓轉換器就會(huì )接通并對負電源軌（VNEG）充電。一旦VNEG 電源電壓超過(guò)其自身的UVLO，驅動(dòng)器便會(huì )啟用驅動(dòng)。

與分立的GaN 和驅動(dòng)器相比，LMG341x 系列的集成直接驅動(dòng)實(shí)現具有諸多優(yōu)勢。柵極驅動(dòng)的一個(gè)重要方面是在硬開(kāi)關(guān)事件期間控制壓擺率。LMG341x 系列使用可編程電流源來(lái)驅動(dòng)GaN 柵極。

圖4：?jiǎn)瓮ǖ?00 V，76ΩGaN FET 功率級的框圖。

電流源來(lái)驅動(dòng)GaN 柵極。電流源提供阻抗以抑制柵極環(huán)路，并允許用戶(hù)以受控的方式對轉換率進(jìn)行編程，轉換率從30 V/ns到100 V/ns，以解決電路板寄生和EMI 問(wèn)題。

通過(guò)將串聯(lián)FET 集成到驅動(dòng)集成電路（IC）中，感測FET 和電流感測電路可為GaN FET 提供過(guò)流保護。這是增強整體系統可靠性的關(guān)鍵功能。使用增強型GaN 器件時(shí)，這種電流檢測方案無(wú)法實(shí)現。當大于40 A 的電流流經(jīng)GaN FET 時(shí)，電流保護電路會(huì )跳閘。GaN FET 在發(fā)生過(guò)流事件后的60 ns 內關(guān)閉，從而防止裸片過(guò)熱。

通過(guò)將驅動(dòng)芯片封裝在與GaN FET 相同的裸片附著(zhù)墊（DAP）上，驅動(dòng)芯片處的引線(xiàn)框架可感測GaN 器件的溫度。驅動(dòng)可通過(guò)在過(guò)熱事件期間禁用GaN 驅動(dòng)來(lái)保護器件。集成的GaN 器件還提供FAULT 輸出，通知控制器由于故障事件而停止了開(kāi)關(guān)。為使用直接驅動(dòng)方法驗證操作，我們建立了一個(gè)半橋板，并將其配置為降壓轉換器（圖5）。此外，我們使用了ISO7831雙向電平位移器來(lái)饋送高側驅動(dòng)信號，并返回經(jīng)過(guò)電平位移的FAULT 信號。

圖6 中，GaN 半橋配置從480V 總線(xiàn)、以1.5A 的轉換速率轉換為100V/ns。藍色跡線(xiàn)是開(kāi)關(guān)節點(diǎn)波形，紫色跡線(xiàn)是電感器電流。

硬開(kāi)關(guān)導通穩定，具有約50 V 的過(guò)沖。此波形使用1 Ghz 示波器和探頭進(jìn)行采集，可觀(guān)察到任何高頻振鈴?？焖俚膶〞r(shí)間，外加減小的寄生電容和缺反向恢復電荷，使得基于GaN 的半橋配置即使在使用硬開(kāi)關(guān)轉換器時(shí)也可高效開(kāi)關(guān)。

圖5：典型的半橋配置。

總結

GaN 在減小寄生電容和無(wú)反向恢復方面所提供的優(yōu)勢為使用硬開(kāi)關(guān)拓撲結構同時(shí)保持高效率提供了可能。需要受控的高開(kāi)關(guān)壓擺率來(lái)更大程度地發(fā)揮GaN 的優(yōu)勢，而這又需要優(yōu)化的共封裝驅動(dòng)器和精心的電路板布局技術(shù)。共封裝驅動(dòng)有助于更大程度地減少柵極環(huán)路寄生效應，以減少柵極振鈴。

利用精心布置的印刷電路板（PCB），優(yōu)化的驅動(dòng)器可使設計人員以更小的振鈴和EMI 來(lái)控制開(kāi)關(guān)事件的轉換速率。這得益于GaN 器件的直接驅動(dòng)配置而非級聯(lián)驅動(dòng)配置。

LMG341x 系列器件使設計人員能夠以30 V/ns 至100 V/ns 的壓擺率控制各類(lèi)器件的開(kāi)關(guān)。此外，驅動(dòng)器還提供過(guò)流、過(guò)熱和欠壓保護。

圖6：降壓開(kāi)關(guān)波形示例。

參考文獻

1. B.J. Baliga, “Power Semiconductor Device Figure-of-Merit for High Frequency Applications,” IEEE Electron Device Letters, vol. 10, pp. 455-457, 1989.

2. M. Seeman et al., “Advantages of GaN in a High-Voltage Resonant LLC Converter,” IEEE APEC, pp. 476-483, March 2014.

3. S. Bahl et al., “New Electrical Overstress and Energy Loss Mechanism in GaN Cascodes,” APEC 2015.

4. X. Huang et al., “Characterization and Enhancement of 600V Cascode GaN Device,” Virginia Tech 2015 CPES Industry Webinar, March 11, 2015.

5. Download these data sheets: LMG3410R050. LMG3410R070 and LMG3411R070