EPC和Microchip公司攜手開(kāi)發(fā)用于高功率密度計算應用和數據中心的 300 W、1/16磚式48 V/12 V DC/DC轉換器演示板
美國微芯科技公司(Microchip Technology Inc.)的數字信號控制器(DSC)與宜普電源轉換公司(EPC)的超高效氮化鎵場(chǎng)效應晶體管(eGaN?FET)的結合,可實(shí)現最佳功率密度(730 W/in3),從而實(shí)現高效、低成本的DC-DC轉換。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/202007/415756.htmEPC公司 宣布推出1/16磚式、300 W DC/DC穩壓器( EPC9143 )。 EPC9143功率模塊把Microchip dsPIC33CK 數字信號控制器(DSC)和最新一代eGaN FET( EPC2053 )集成在一起,實(shí)現25 A、48 V/12 V和96%效率的功率轉換。
500 kHz開(kāi)關(guān)頻率在非常小的1/16磚式轉換器實(shí)現300 W功率,其尺寸僅為33 毫米 x 22.9 毫米(1.3 x 0.9英寸)。
可擴展的兩相設計可以增加相數,從而進(jìn)一步提高功率。 由于Microchip數字控制器具有高靈活性,因此允許在8 V至72 V范圍內調節輸入電壓,而輸出電壓在3.3 V至25 V范圍內。
磚式DC/DC轉換器廣泛用于 數據中心 、電信和 汽車(chē)應用 ,可將48 V標稱(chēng)電壓轉換為12 V配電總線(xiàn)輸出電壓。 鑒于給定的外形尺寸,業(yè)界的主要趨勢是朝著(zhù)需要更高的功率密度方向發(fā)展。 其中一個(gè)主要應用,是高密度48V/12V負載點(diǎn)(POL)轉換器,需要12V輸出的穩壓功率,例如用于通用PCIe卡和存儲。
eGaN?FET和集成電路 具備快速開(kāi)關(guān)、小尺寸和低成本等優(yōu)勢,能夠以少元件數量和低成本滿(mǎn)足這些前沿應用對功率密度的嚴格要求。
EPC首席執行官Alex Lidow 表示:“先進(jìn)的計算應用對功率轉換器的要求越來(lái)越高,但硅基功率轉換器在性能方面未能滿(mǎn)足這些要求。我們很高興與這個(gè)領(lǐng)域的全球領(lǐng)先供應商Microchip公司合作,為客戶(hù)提供靈活的解決方案,從而為48 V轉換提高效率、增加功率密度和降低系統總成本?!?/p>
Microchip MCU16業(yè)務(wù)部副總裁Joe Thomsen表示:“Microchip的dsPIC? DSC可以進(jìn)行編程以充分發(fā)揮氮化鎵場(chǎng)效應晶體管的性能。我們很榮幸與EPC公司合作,為我們的客戶(hù)提供這種基于氮化鎵器件的參考設計。 EPC的氮化鎵技術(shù)與我們的dsPIC33CK控制器相結合,使工程師能夠顯著(zhù)提高功率密度,從而滿(mǎn)足各種先進(jìn)計算和電信應用的苛刻要求?!?/p>
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