總投資200億元，名冠微電子項目主廠(chǎng)房建設啟動(dòng)

近日，江西贛州經(jīng)開(kāi)區舉行名冠微電子項目主廠(chǎng)房建設啟動(dòng)儀式。

據贛州經(jīng)開(kāi)區微新聞報道，名冠微電子（贛州）有限公司由贛州經(jīng)開(kāi)區和名芯有限公司、電子科技大學(xué)廣東電子信息工程研究院合資設立，投資200億元，致力于成為一家開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售世界先進(jìn)水平功率半導體產(chǎn)品的高科技企業(yè)。

2019年11月30日，名冠微電子（贛州）有限公司功率芯片項目正式簽約。根據此前的資料顯示，名冠微電子項目將分兩期建設，其中項目一期總投資60億元，建設一條8英寸0.09-0.11微米功率晶圓生產(chǎn)線(xiàn)，一期建成后，將實(shí)現年產(chǎn)100萬(wàn)片功率半導體晶圓；項目二期投資約140億元，規劃建設第三代6/8英寸晶圓制造生產(chǎn)線(xiàn)或12英寸硅基晶圓制造生產(chǎn)線(xiàn)。

項目涉及產(chǎn)品類(lèi)型包括IGBT、功率MOS、功率IC、電源管理芯片等，覆蓋全球功率器件領(lǐng)域全部類(lèi)別中80%品種。項目建成后，將填補江西省半導體晶圓生產(chǎn)線(xiàn)空白。2020年3月10日，名冠微電子功率芯片生產(chǎn)項目（一期）正式開(kāi)工。