科學(xué)家研發(fā)2D金屬芯片：讓儲存速度提高100倍

科學(xué)家正在努力，希望開(kāi)發(fā)出下一代數據存儲材料，以提高現有存儲速度。

據英國《自然·物理學(xué)》雜志近日發(fā)表的一項研究，一個(gè)美國聯(lián)合研究團隊利用層狀二碲化鎢制成了二維（2D）金屬芯片，其厚度僅三個(gè)原子，其可代替硅芯片存儲數據，且比硅芯片更密集、更小、更快，也更節能，同時(shí)儲存速度提高了100倍之多。

研究人員對二碲化鎢薄層結構施加微小電流，使其奇數層相對于偶數層發(fā)生穩定的偏移，并利用奇偶層的排列來(lái)存儲二進(jìn)制數據。數據寫(xiě)入后，他們再通過(guò)一種稱(chēng)為貝利曲率的量子特性，在不干擾排列的情況下讀取數據。

與現有的基于硅的數據存儲系統相比，新系統具有巨大優(yōu)勢——它可以將更多的數據填充到極小的物理空間中，并且非常節能。此外，其偏移發(fā)生得如此之快，以至于數據寫(xiě)入速度可以比現有技術(shù)快100倍。

對超薄層進(jìn)行非常小的調整，就會(huì )對它的功能特性產(chǎn)生很大的影響，而人們可以利用這一知識來(lái)設計新型節能設備，以實(shí)現可持續發(fā)展和更智慧的未來(lái)存儲方式。