TI LMG341xR050 GaN功率級在貿澤開(kāi)售 支持高密度電源轉換設計
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時(shí)間：2020-04-15
來(lái)源：汽車(chē)電子應用
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近日，專(zhuān)注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷(xiāo)商貿澤電子 (Mouser Electronics) 開(kāi)始備貨Texas Instruments (TI) 的LMG341xR050氮化鎵 (GaN) 功率級。這款 600V、500 mΩ的器件具有集成柵極驅動(dòng)器和強大的保護功能，可讓設計人員在電源轉換系統中實(shí)現更高的效率，適用于高密度工業(yè)和消費類(lèi)電源、高壓電池充電器、光伏逆變器和多電平轉換器等應用。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/202004/412023.htm貿澤電子備貨的TI LMG341xR050 GaN功率級與硅MOSFET相比擁有多種優(yōu)勢，包括超低輸入和輸出容值、可降低EMI的低開(kāi)關(guān)節點(diǎn)振鈴，以及可將開(kāi)關(guān)損耗降低多達80%的零反向恢復。此器件的集成式柵極驅動(dòng)器支持100 V/ns開(kāi)關(guān)，實(shí)現幾乎為零的VDs振鈴，其微調柵極偏置電壓可通過(guò)補償閾值變化確?？煽壳袚Q。此功率級集成了一系列獨特的功能，比如圖騰柱功率因數校正 (PFC) 結構等密集高效拓撲，讓設計人員能夠優(yōu)化電源性能并提高可靠性。
LMG341xR050 GaN功率級擁有強大的保護功能，不需要外部保護元件，即可提供過(guò)熱保護、瞬態(tài)電壓抗擾性，并且所有電源軌都具有欠壓鎖定 (UVLO) 保護。此外，LMG341xR050還可提供響應時(shí)間低于100 ns的過(guò)流保護和高于150 V/ns的壓擺率抗擾性。
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