意法半導體收購氮化鎵創(chuàng )新企業(yè)Exagan的多數股權

近日，橫跨多重電子應用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST) 宣布，已經(jīng)簽署收購法國氮化鎵（GaN）創(chuàng )新企業(yè)Exagan公司的多數股權的并購協(xié)議。Exagan的外延工藝、產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和應用經(jīng)驗將拓寬并推進(jìn)意法半導體的汽車(chē)、工業(yè)和消費用功率GaN的開(kāi)發(fā)規劃和業(yè)務(wù)。Exagan將繼續執行現有產(chǎn)品開(kāi)發(fā)規劃，意法半導體將為其部署產(chǎn)品提供支持。

雙方的交易條款沒(méi)有對外公布，等法國政府按照慣例成交法規批準后即可完成交易?，F已簽署的并購協(xié)議還規定，在多數股權收購交易完成24個(gè)月后，意法半導體有權收購剩余的Exagan少數股權。本交易將采用可用現金支付。

意法半導體公司總裁兼首席執行官Jean-Marc Chery表示：“意法半導體的碳化硅發(fā)展勢頭強勁，現在我們正在擴大對另一種前景很好的復合材料--氮化鎵的投入，以促進(jìn)汽車(chē)、工業(yè)和消費市場(chǎng)客戶(hù)采用GaN功率產(chǎn)品。收購Exagan的多數股權是我們加強公司在全球功率半導體市場(chǎng)的領(lǐng)先地位以及我們的GaN長(cháng)遠規劃、生態(tài)系統和業(yè)務(wù)的又一項新舉措，是對我們目前與CEA-Leti在法國圖爾的開(kāi)發(fā)項目以及最近宣布的與臺積電的合作項目的補充?！?/p>

氮化鎵(GaN)屬于寬帶隙(WBG)材料家族，其中包括碳化硅。GaN基器件是高頻電力電子器件行業(yè)取得的一大進(jìn)步，其能效和功率密度高于硅基晶體管， GaN基器件節能省電，縮減系統整體尺寸。GaN器件適合各種應用，例如，服務(wù)器、電信和工業(yè)用功率因數校正和DC/DC轉換器；電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器和車(chē)規DC-DC轉換器，以及電源適配器等個(gè)人電子應用。

Exagan成立于2014年，總部位于法國格勒諾布爾。該公司致力于推進(jìn)電力電子行業(yè)從硅基技術(shù)向GaN-on-silicon技術(shù)轉變，研發(fā)體積更小、能效更高的功率轉換器。Exagan的GaN功率開(kāi)關(guān)是為標準200毫米晶圓設計。