性?xún)r(jià)比一流：英飛凌推出面向低頻率應用的600 V CoolMOS? S7超結MOSFET
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技術(shù)方案與實(shí)用技巧
近日，英飛凌科技股份公司成功開(kāi)發(fā)出滿(mǎn)足最高效率和質(zhì)量要求的解決方案。對于MOSFET低頻率開(kāi)關(guān)應用而言，新推出的600 V CoolMOS? S7系列產(chǎn)品可帶來(lái)領(lǐng)先的功率密度和能效。CoolMOS? S7系列產(chǎn)品的主要特點(diǎn)包括導通性能優(yōu)化、熱阻改進(jìn)以及高脈沖電流能力，并且具備最高質(zhì)量標準。該器件適合的應用包括有源橋式整流器、逆變極、PLC、功率固態(tài)繼電器和固態(tài)斷路器等。此外，10 m? CoolMOS? S7 MOSFET是業(yè)界RDS(on)最小的器件。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/202003/410536.htm該產(chǎn)品系列專(zhuān)為低頻率的開(kāi)關(guān)應用而開(kāi)發(fā)，旨在降低它們的導通損耗，確保響應速度最快和效率最高。CoolMOS? S7器件甚至實(shí)現了比CoolMOS? 7產(chǎn)品更低的RDS(on) x A，因而能夠成功地抵消開(kāi)關(guān)損耗，最終實(shí)現導通電阻降低和成本節省。對于高壓開(kāi)關(guān)而言，CoolMOS? S7產(chǎn)品擁有市面上最低的導通電阻（RDS(on)）。此外，10 mΩ芯片采用創(chuàng )新的頂面冷卻QDPAK封裝，22 mΩ芯片采用先進(jìn)的小型TO無(wú)引腳（TOLL）SMD封裝。這些MOSFET可助力實(shí)現經(jīng)濟、簡(jiǎn)化、緊湊、模塊化和高效的設計。設計出來(lái)的系統可以輕松滿(mǎn)足法規要求和能效認證標準（如適用于SMPS的Titanium?標準），也能滿(mǎn)足功率預算，減少零部件數量和散熱器需求，同時(shí)降低總擁有成本（TCO）。
供貨情況
22 m? 600 V CoolMOS? S7器件擁有TO無(wú)引腳封裝和TO-220封裝，40 m?和65 m?器件擁有TO無(wú)引腳封裝。10 m? CoolMOS? S7 MOSFET將在2020年第四季度上市。
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