<dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"></dfn><small id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></small><small id="yhprb"></small><small id="yhprb"></small> <delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><s id="yhprb"><noframes id="yhprb"><small id="yhprb"><dfn id="yhprb"></dfn></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn> <small id="yhprb"></small><delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn>

新聞中心

EEPW首頁(yè) > 手機與無(wú)線(xiàn)通信 > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 淺析:5G浪潮下,射頻功率放大器產(chǎn)業(yè)發(fā)展

淺析:5G浪潮下,射頻功率放大器產(chǎn)業(yè)發(fā)展

作者: 時(shí)間:2020-02-10 來(lái)源:中國半導體照明網(wǎng) 收藏
編者按:5G技術(shù)涵蓋毫米波頻率和大規模陣列天線(xiàn)的運用,帶寬、時(shí)延、同步等性能全面提升,對高功率、高性能、高密度的射頻元件需求不斷增加。GaN功率放大器以其高擊穿電壓、高功率、大帶寬、高效率等優(yōu)勢符合新技術(shù)要求,逐漸成為L(cháng)DMOS的最佳替代者。

一、在基站中的應用

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/202002/409749.htm

作為前端發(fā)射通路的主要器件,主要是為了將調制振蕩電路所產(chǎn)生的小功率的信號放大,獲得足夠大的輸出功率,才能饋送到天線(xiàn)上輻射出去,通常用于實(shí)現發(fā)射通道的射頻信號放大。

關(guān)鍵技術(shù)中的高密集組網(wǎng)(UDN)以及全頻譜接入將帶來(lái)基站數量的增加和頻譜的進(jìn)一步拓寬,對終端射頻器件帶來(lái)更多的需求。特別是時(shí)代基地臺設備升級及小型化,成為推動(dòng)射頻市場(chǎng)規模成長(cháng)的主要動(dòng)力。據統計,功率放大器占基地臺成本比重約25~30%,具有舉足輕重角色。目前投入射頻功率放大器業(yè)者眾多,包括NXP、Qorvo、Ampleon、Infineon、Sumitomo、Gree、UMS等。

圖1 通信設備/移動(dòng)設備射頻組成部分

1581341308315090.png

資料來(lái)源:華為

二、功率放大器發(fā)展趨勢

功率放大器日益小型化。隨著(zhù)無(wú)線(xiàn)通訊新標準、新技術(shù)的不斷發(fā)展,基站朝著(zhù)寬帶化、多?;?、集成化等方向不斷演進(jìn),這要求提高射頻PA的各種性能,進(jìn)一步降低成本、減少尺寸與重量,同時(shí)擁有良好的線(xiàn)性度、高輸出功率及效率。對射頻組件需求的提升將大幅提升基站射頻行業(yè)的市場(chǎng)空間,高度的集成化需求,同時(shí)也將推動(dòng)功率放大器等射頻組件工藝進(jìn)一步升級,產(chǎn)品將更加的小型化。此外,在基站設備中,射頻功放的能耗占到總能耗的60%左右,因此,大帶寬、高效率、小體積,輕重量、低成本的射頻功率放大器成為了未來(lái)移動(dòng)運營(yíng)商降低運營(yíng)成本、實(shí)現綠色節能的最為有效的手段。

GAN功率器件將成為PA的主流技術(shù)。目前針對3G和LTE基站市場(chǎng)的功率放大器主要有硅基LDMOS和GaAS兩種。但隨著(zhù)5G帶來(lái)的多頻帶載波聚合和大規模MIMO等新技術(shù)出現新要求,現有的硅基LDMOS和GaAS解決方案局限性不斷凸顯,氮化鎵成為中高頻段主要技術(shù)方向。

傳統LDMOS技術(shù)疲態(tài)已現

未來(lái)5G商用頻段主要在3.5GHz,LDMOS功率放大器的帶寬會(huì )隨著(zhù)頻率的增加而大幅減少,LDMOS 僅在不超過(guò)約3.5GHz的頻率范圍內有效,因此在3.5GHz頻段LDMOS的性能已開(kāi)始出現明顯下滑。5G基站AAU功率大幅提升,單扇區功率從4G時(shí)期的50W左右提升到5G時(shí)期的200W左右,傳統的LDMOS制程將很難滿(mǎn)足性能要求。

GaAs技術(shù)適用性有限

GaAs功率放大器雖然能夠滿(mǎn)足高頻通信的要求,但其輸出功率與GaN器件相比多有遜色。對于小基站(微基站)不需要很高的功率,現有GaAs技術(shù)仍具有優(yōu)勢。

GaN技術(shù)具有顯著(zhù)優(yōu)勢

HEMT利用髙遷移率的二維電子氣2DEG工作,具有超高速,低功耗和低噪聲的優(yōu)點(diǎn)。GaN具有的壓電極化效應可以顯著(zhù)地提高HEMT中的2DEG遷移率和密度,采用GaN材料的HEMT具有高跨導、高工作頻率、飽和電流的顯著(zhù)優(yōu)勢。隨著(zhù)半導體材料工藝的進(jìn)步,氮化鎵(GaN)正成為中高頻頻段PA主要技術(shù)路線(xiàn),GaN技術(shù)優(yōu)勢包括能源效率提高、帶寬更寬、功率密度更大、體積更小,使之成為L(cháng)DMOS的天然繼承者。根據Yole數據顯示,預計到2025年GaN將主導RF功率器件市場(chǎng),搶占基于硅LDMOS技術(shù)的基站PA市場(chǎng)。

圖2 2015-2025年射頻功率市場(chǎng)不同技術(shù)路線(xiàn)的份額占比

1581341365556131.png

資料來(lái)源:Yole

圖3 基站射頻PA技術(shù)路線(xiàn)比較

1581341395597780.png

數據來(lái)源:Macom、Qorvo

三、功率放大器市場(chǎng)潛力巨大

在4G建設高峰期,國內市場(chǎng)平均每年功率放大器的市場(chǎng)空間約在42億元??紤]到單站功率放大器價(jià)格的大幅提升,到了5G時(shí)代,單站價(jià)格的大幅上漲將推動(dòng)功率放大器的總市場(chǎng)空間大幅提升。未來(lái),隨著(zhù)毫米波等高頻段技術(shù)的成熟,GaN 作為主流技術(shù)將成為必然。

5G基站引入大規模陣列天線(xiàn),這將帶動(dòng)射頻組件需求量大幅增加。根據目前的5G測試來(lái)看,采用64通道的MassiveMIMO技術(shù)是各個(gè)設備商的主流測試選擇。未來(lái)64通道的天線(xiàn)陣列將容納64個(gè)功率放大器等器件。據華泰證券研究所統計,預計2025年國內功率放大器市場(chǎng)規模將達到40億元左右,而在2020年-2023年5G發(fā)展高峰期,功率放大器市場(chǎng)規模將超過(guò)100億元。



關(guān)鍵詞: 5G 功率放大器 射頻

評論


相關(guān)推薦

技術(shù)專(zhuān)區

關(guān)閉
国产精品自在自线亚洲|国产精品无圣光一区二区|国产日产欧洲无码视频|久久久一本精品99久久K精品66|欧美人与动牲交片免费播放
<dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"></dfn><small id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></small><small id="yhprb"></small><small id="yhprb"></small> <delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><s id="yhprb"><noframes id="yhprb"><small id="yhprb"><dfn id="yhprb"></dfn></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn> <small id="yhprb"></small><delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn>