傳合肥長(cháng)鑫年底量產(chǎn)DDR4內存：19nm工藝、8Gb核心

前不久紫光宣布在重慶投資數百億建設DRAM內存研發(fā)中心及晶圓廠(chǎng)，最快2021年量產(chǎn)，這對國產(chǎn)芯片，尤其是內存來(lái)說(shuō)是一個(gè)大事件。

不過(guò)在紫光之前，我們可能看到的第一個(gè)國產(chǎn)內存應該是合肥長(cháng)鑫公司的，他們比紫光做內存更早，該公司2016年成立于安徽合肥，一期工程投資就高達72億美元（約合494億人民幣），將建設一座月產(chǎn)能12.5萬(wàn)晶圓的內存廠(chǎng)，目前工廠(chǎng)建設已經(jīng)進(jìn)入了尾聲，正在進(jìn)行設備安裝、調試階段。

最新消息顯示，合肥長(cháng)鑫的進(jìn)展還跟順利，已經(jīng)提前進(jìn)行機臺安裝，有望在Q4季度順利量產(chǎn)國內第一批內存。

根據合肥長(cháng)鑫之前公開(kāi)的資料，去年該公司與兆易創(chuàng )新達成了合作協(xié)議，共同開(kāi)發(fā)19nm工藝的DRAM內存，去年底已經(jīng)推出了8Gb DDR4內存樣品，今年Q3季度推出8Gb LPDDR4內存樣品，年底正式量產(chǎn)，月產(chǎn)能將達到2萬(wàn)片晶圓，后續不斷提升到12.5萬(wàn)片晶圓/月的目標產(chǎn)能。

此前在GSA+Memory存儲峰會(huì )上，長(cháng)鑫存儲的董事長(cháng)兼CEO朱一明發(fā)表了《中國存儲技術(shù)發(fā)展與解決方案》主題演講，提到了長(cháng)鑫的DRAM內存技術(shù)來(lái)源，主要就是已破產(chǎn)的奇夢(mèng)達公司，獲得了一千多萬(wàn)份有關(guān)DRAM的技術(shù)文件及2.8TB數據，在此基礎上改進(jìn)、研發(fā)自主產(chǎn)權的內存芯片，耗資超過(guò)25億美元。

如果年底順利量產(chǎn)19nm工藝、8Gb核心的內存，雖然與美光、三星等公司的第三代10nm工藝還有一兩代的代差，但是這個(gè)技術(shù)水平還是可以的，因為市面上很多內存條也就是這個(gè)規格，用于制備單條8GB、16GB的內存條是OK的，可以說(shuō)國產(chǎn)內存的起點(diǎn)是非常高的，但后續的良率、產(chǎn)能提升才是關(guān)鍵，在這個(gè)市場(chǎng)上賺到錢(qián)活下去并不容易。