應用材料公司助力面向物聯(lián)網(wǎng)和云計算的新型存儲器實(shí)現量產(chǎn)

2019 年 7 月 9 日，加利福尼亞州圣克拉拉 - 應用材料公司今日宣布推出可實(shí)現大規模量產(chǎn)的創(chuàng )新型解決方案，旨在加速面向物聯(lián)網(wǎng)(IoT)和云計算的新型存儲器的工業(yè)應用進(jìn)程。

幾十年前所研制出且已大規模量產(chǎn)的存儲器技術(shù)，包括 DRAM、SRAM 和閃存等，現已廣泛應用于各種數字設備和系統中。而以 MRAM、ReRAM 和 PCRAM 為代表的新型存儲器雖然能夠帶來(lái)獨特的優(yōu)勢，但由于這些存儲器均采用新型材料，至今很難實(shí)現大規模量產(chǎn)。應用材料公司今日推出的全新制造系統能夠以原子級的精度沉積新型材料，從而解決生產(chǎn)這些新型存儲器的核心難題。這些系統是應用材料公司迄今為止開(kāi)發(fā)的最先進(jìn)的系統，能夠助力這些前景廣闊的新型存儲器實(shí)現可靠的工業(yè)規模量產(chǎn)。

 “我們今天推出的新型 Endura? 平臺是公司有史以來(lái)最精密的芯片制造系統?！睉貌牧瞎景雽w產(chǎn)品事業(yè)部高級副總裁兼總經(jīng)理 Prabu Raja 博士表示，“廣泛的產(chǎn)品組合為我們帶來(lái)得天獨厚的優(yōu)勢，使我們能成功地將多種材料工程技術(shù)與機載計量技術(shù)相集成，打造出前所未有的新型薄膜和結構。這些集成化平臺充分展示了新材料和 3D 架構能夠發(fā)揮關(guān)鍵的作用，并以全新的方式幫助計算行業(yè)優(yōu)化性能、提升功率并降低成本?！?/p>

“IBM 多年以來(lái)一直引領(lǐng)著(zhù)新型存儲器的研發(fā)，我們可以看到，隨著(zhù)人工智能時(shí)代對芯片性能和效率的要求越來(lái)越高，行業(yè)對新型存儲器技術(shù)的需求也在不斷增加?！盜BM 研究院半導體、人工智能硬件與系統部副總裁 Mukesh Khare 表示，“新材料和設備在這一過(guò)程中能夠發(fā)揮重要作用，使這些面向物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、云計算和人工智能產(chǎn)品的高性能、低功耗嵌入式存儲器成功投入生產(chǎn)。應用材料公司的大規模量產(chǎn)解決方案有助于加快整個(gè)行業(yè)獲得這些新型存儲器?！?/p>

“提高數據中心的效率是云服務(wù)提供商和企業(yè)客戶(hù)的當務(wù)之急?！盨K海力士先進(jìn)薄膜技術(shù)部負責人 Sung Gon Jin 表示，“除了在 DRAM 和 NAND 方面持續推動(dòng)創(chuàng )新，SK海力士還率先開(kāi)發(fā)了有助于提高性能和降低功耗的新一代存儲器。我們十分重視與應用材料公司的合作，雙方將專(zhuān)注于前景廣闊的新型存儲器，共同加速新材料和大規模量產(chǎn)技術(shù)的開(kāi)發(fā)?！?/p>

“隨著(zhù)人工智能，機器學(xué)習和物聯(lián)網(wǎng)的進(jìn)步，使得計算負載變得日益數據密集且復雜，這需要更為創(chuàng )新的存儲技術(shù)對其進(jìn)行有效的處理?！蔽鞑繑祿╓estern Digital）研究副總裁Richard New表示 ，“應用材料公司正在提供重要技術(shù)，助力加速業(yè)界獲得MRAM、ReRAM和PCRAM這些前景廣闊的新型存儲器?！?/p>

面向物聯(lián)網(wǎng)（IoT）的 MRAM                                                                   

計算機行業(yè)正在積極構建物聯(lián)網(wǎng)(IoT)，將傳感器、計算和通信技術(shù)整合到數百億的設備中，以便監控設備環(huán)境、制定決策并向云數據中心發(fā)送關(guān)鍵信息。MRAM（磁性隨機存取存儲器）是存儲物聯(lián)網(wǎng)設備軟件和 AI 算法的首選。

MRAM 采用硬盤(pán)驅動(dòng)器中常見(jiàn)的精密磁性材料，其固有的快速存取性能和非易失性能夠確保軟件和數據在斷電情況下得以保留。得益于快速的存取性能和高度耐用性，MRAM 可能最終會(huì )替代 SRAM，成為 3 級高速緩沖存儲器。MRAM 可以集成到物聯(lián)網(wǎng)(IoT)芯片的后端互連層中，因此能夠實(shí)現更小的裸片尺寸和更低的成本。

應用材料公司的新型 Endura? Clover? MRAM PVD 平臺由 9 個(gè)特制的工藝反應腔組成，這些反應腔全部集成在高度真空的無(wú)塵環(huán)境下。這是業(yè)內首個(gè)用于大規模量產(chǎn)的 300 毫米 MRAM 系統，其中每個(gè)反應腔最多能夠沉積五種不同材料。MRAM 存儲器需要對至少 30 層的材料進(jìn)行精確沉積，其中有些層的厚度比人類(lèi)的發(fā)絲還要薄 500,000 倍。即使僅有原子直徑幾分之一的工藝變化，也會(huì )極大地影響器件的性能和可靠性。Clover MRAM PVD 平臺引入了機載計量技術(shù)，能夠以亞埃級靈敏度對所產(chǎn)生的 MRAM 層的厚度進(jìn)行測量與監控，從而確保實(shí)現原子級的均勻度并規避接觸外界環(huán)境的風(fēng)險。

“作為一種速度極快、耐用性很高的非易失性存儲器，MRAM 有望取代嵌入式閃存和 3 級高速緩存 SRAM，成為物聯(lián)網(wǎng)(IoT)和人工智能應用的新寵?！盨pin Memory 首席執行官 Tom Sparkman 表示，“應用材料公司推出的量產(chǎn)制造系統對行業(yè)的生態(tài)系統起到了巨大的推動(dòng)作用，我們很高興能與應用材料公司合作打造 MRAM 解決方案并加速其工業(yè)應用?！?/p>

面向云計算的 ReRAM 和 PCRAM

隨著(zhù)當今的數據產(chǎn)生呈指數級增長(cháng)，對于云數據中心中連接服務(wù)器和存儲系統的數據路徑，其速度和功耗也需要實(shí)現跨數量級的改進(jìn)。ReRAM（阻性 RAM）和 PCRAM（相變 RAM）是低功耗、高密度的高速非易失性存儲器，可作為“存儲級存儲器”來(lái)填補服務(wù)器 DRAM 和存儲器之間不斷擴大的性?xún)r(jià)比差距。

ReRAM 采用工作原理類(lèi)似保險絲的新材料制成，能夠在數十億個(gè)存儲單元中選擇性地形成細絲來(lái)表示數據。與之不相同，PCRAM 采用的是 DVD 光盤(pán)中常見(jiàn)的相變材料，通過(guò)將材料狀態(tài)從非晶態(tài)更改為晶態(tài)對數據位進(jìn)行編程。ReRAM 和 PCRAM 與 3D NAND 存儲器類(lèi)似，同樣呈 3D 結構排列，存儲器制造商可以在更新?lián)Q代過(guò)程中逐步增加層數，從而穩定地降低存儲成本。ReRAM 和 PCRAM 還有望實(shí)現和編輯多個(gè)電阻率中間形態(tài)，以便在每單個(gè)存儲器單元中存儲多位數據。

ReRAM 和 PCRAM 的成本可以明顯低于 DRAM，并能夠提供比 NAND 和硬盤(pán)驅動(dòng)器更快的讀取性能。ReRAM 還是未來(lái)內存計算架構的首選產(chǎn)品，在這一架構中，計算元件將集成到存儲器陣列中，協(xié)助克服與 AI 計算相關(guān)的數據傳輸瓶頸。

應用材料公司專(zhuān)為 PCRAM 和 ReRAM 打造的 Endura? Impulse? PVD 平臺包含多達九個(gè)真空工藝反應腔，并集成了機載計量技術(shù)，能夠對這些新型存儲器中使用的多組分材料進(jìn)行精確沉積和控制。

“能夠對 ReRAM 存儲器中使用的新材料進(jìn)行非常均勻的沉積，是最大程度提升器件性能、可靠性和耐用性的關(guān)鍵所在?！盋rossbar 公司首席執行官兼聯(lián)合創(chuàng )始人 George Minassian 表示，“與存儲器和邏輯領(lǐng)域的客戶(hù)開(kāi)展 ReRAM 技術(shù)合作時(shí)，我們會(huì )指定使用應用材料公司搭載機載計量技術(shù)的 Endura Impulse PVD 平臺，因為這款平臺在上述重要指標上都實(shí)現了巨大突破?！?/p>