智能電表設計中如何應用相變存儲器PCM
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對產(chǎn)品帶來(lái)這么多特性的PCM相變存儲器，那么具體的應用又如何？劉群先生表示，現在目前智能能電表的存儲系統采用NVRAM，EEPROM等方案，但是這些解決方案都存在有成本高、容量小、設計復雜等缺點(diǎn)，而運用PCM相變存儲器設計的智能電表可以很好地規避這些缺點(diǎn)。由于PCM具有位改寫(xiě)，成本和工藝的可持續性，高擦寫(xiě)次數，從而可以很好的整合原有的存儲系統。只使用一顆PCM相變存儲器就可以整合NOR flash, EEPROM, NVRAM, 從而提供更低的成本，更加環(huán)保，更加可靠，以及更大的容量。本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/201893.htm
針對采用相變存儲器的智能電表設計，劉群也談到，作為存儲器的重要生產(chǎn)廠(chǎng)商，為滿(mǎn)足客戶(hù)的需求，美光也推出了兩款代號為“omneo”的相變存儲器。分別是：P8P –高速并行接口，128Mb 容量， 100萬(wàn)次的寫(xiě)入次數。P5Q- 高速SPI 接口，支持1、2，4位輸入輸出，也是128Mb 容量, 高達66Mhz。 100萬(wàn)次的寫(xiě)入次數。 Omneo 給嵌入式提供了一種更快寫(xiě)入速度，更高的寫(xiě)入次數的存儲器。從而拓展了客戶(hù)對存儲系統的設計。 并且在本次西安站IIC CHINA展覽會(huì )現場(chǎng)，觀(guān)眾可以參觀(guān)樣品展示。
同期，在西安站技術(shù)研討會(huì )上，除了美光公司帶來(lái)的精彩演講外，還有ADI公司資深應用工程師薛睿帶來(lái)的關(guān)于使用性能觀(guān)測器來(lái)測量和改善嵌入式系統的性能、TriQuint公司關(guān)于討論最新技術(shù)和TriQuint中國區總經(jīng)理熊挺提供的集成式方案、以及有國際電子商情主分析師陳路帶來(lái)的關(guān)于2011年中國汽車(chē)電子市場(chǎng)商機的精彩演講。
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