智能電表設計中如何應用相變存儲器PCM
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相變存儲器即是英文Phase Change Memory-- PCM 的縮寫(xiě)。就是一種利用六族與第四、五族的化合物作為存儲材料的存儲器。 該種化合物是一種相態(tài)可逆變的物質(zhì)?？梢栽谟行蚪Y構(晶態(tài)-低阻)和無(wú)序結構(非晶態(tài)-高阻) 之間變化。本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/201893.htm
通過(guò)圖片可以看出，電流電壓曲線(xiàn)圖是從一個(gè)ＰＣＭ的存儲單元獲得。讀取操作是工作在電壓５００毫伏且電流小于１００微安以下的區間內，所以沒(méi)有對ＧＳｔ產(chǎn)生加熱的效應。晶態(tài)和非晶態(tài)的存儲狀態(tài)也就沒(méi)有變化。當電壓大于５００毫伏且電流大于５００微安時(shí)，電阻加熱器就會(huì )融化ＧＳＴ材料。此時(shí)晶態(tài)和非晶體的狀態(tài)就會(huì )發(fā)生變化。
基于相變技術(shù)的存儲器具有三個(gè)特性，包括位修改（直接寫(xiě)入），高寫(xiě)入次數，工藝和成本的可延續性。下面圖片是對現在流行的存儲器之間的比較。
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