開(kāi)關(guān)電源調試常見(jiàn)問(wèn)題和解決方法大合集

　　1 變壓器飽和

　　變壓器飽和現象

　　在高壓或低壓輸入下開(kāi)機(包含輕載，重載，容性負載)，輸出短路，動(dòng)態(tài)負載，高溫等情況下，通過(guò)變壓器(和開(kāi)關(guān)管)的電流呈非線(xiàn)性增長(cháng)，當出現此現象時(shí)，電流的峰值無(wú)法預知及控制，可能導致電流過(guò)應力和因此而產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)管過(guò)壓而損壞。

　　變壓器飽和時(shí)的電流波形

　　容易產(chǎn)生飽和的情況：

　　1)變壓器感量太大;

　　2)圈數太少;

　　3)變壓器的飽和電流點(diǎn)比IC的最大限流點(diǎn)小;

　　4)沒(méi)有軟啟動(dòng)。

　　解決辦法：

　　1)降低IC的限流點(diǎn);

　　2)加強軟啟動(dòng)，使通過(guò)變壓器的電流包絡(luò )更緩慢上升。

　　2 Vds過(guò)高

　　Vds的應力要求：

　　最?lèi)毫訔l件(最高輸入電壓，負載最大，環(huán)境溫度最高，電源啟動(dòng)或短路測試)下，Vds的最大值不應超過(guò)額定規格的90%

　　Vds降低的辦法：

　　1)減小平臺電壓：減小變壓器原副邊圈數比;

　　2)減小尖峰電壓：

　　a.減小漏感：

　　變壓器漏感在開(kāi)關(guān)管開(kāi)通是存儲能量是產(chǎn)生這個(gè)尖峰電壓的主要原因，減小漏感可以減小尖峰電壓。

　　b.調整吸收電路：

　?、偈褂肨VS管;

　?、谑褂幂^慢速的二極管，其本身可以吸收一定的能量(尖峰);

　?、鄄迦胱枘犭娮杩梢允沟貌ㄐ胃悠交?，利于減小EMI。

　　3 IC 溫度過(guò)高

　　原因及解決辦法：

　　1)內部的MOSFET損耗太大：

　　開(kāi)關(guān)損耗太大，變壓器的寄生電容太大，造成MOSFET的開(kāi)通、關(guān)斷電流與Vds的交叉面積大。解決辦法：增加變壓器繞組的距離，以減小層間電容，如同繞組分多層繞制時(shí)，層間加入一層絕緣膠帶(層間絕緣) 。

　　2)散熱不良：

　　IC的很大一部分熱量依靠引腳導到PCB及其上的銅箔，應盡量增加銅箔的面積并上更多的焊錫

　　3)IC周?chē)諝鉁囟忍撸?/p>

　　IC應處于空氣流動(dòng)暢順的地方，應遠離零件溫度太高的零件。

　　4 空載、輕載不能啟動(dòng)

　　現象：

　　空載、輕載不能啟動(dòng)，Vcc反復從啟動(dòng)電壓和關(guān)斷電壓來(lái)回跳動(dòng)。

　　原因：

　　空載、輕載時(shí)，Vcc繞組的感應電壓太低，而進(jìn)入反復重啟動(dòng)狀態(tài)。

　　解決辦法：

　　增加Vcc繞組圈數，減小Vcc限流電阻，適當加上假負載。如果增加Vcc繞組圈數，減小Vcc限流電阻后，重載時(shí)Vcc變得太高，請參照穩定Vcc的辦法。

　　5 啟動(dòng)后不能加重載

　　原因及解決辦法：

　　1)Vcc在重載時(shí)過(guò)高

　　重載時(shí)，Vcc繞組感應電壓較高，使Vcc過(guò)高并達到IC的OVP點(diǎn)時(shí)，將觸發(fā)IC的過(guò)壓保護，引起無(wú)輸出。如果電壓進(jìn)一步升高，超過(guò)IC的承受能力，IC將會(huì )損壞。

　　2)內部限流被觸發(fā)

　　a.限流點(diǎn)太低

　　重載、容性負載時(shí)，如果限流點(diǎn)太低，流過(guò)MOSFET的電流被限制而不足，使得輸出不足。解決辦法是增大限流腳電阻，提高限流點(diǎn)。

　　b.電流上升斜率太大

　　上升斜率太大，電流的峰值會(huì )更大，容易觸發(fā)內部限流保護。解決辦法是在不使變壓器飽和的前提下提高感量。