大容量時(shí)代：閃存市場(chǎng)競逐5G機遇

　　5G時(shí)代的漸行漸近。對消費群體而言，5G帶來(lái)的是高帶寬低延遲的使用效果;對于企業(yè)端尤其是閃存大廠(chǎng)來(lái)說(shuō)，則是新的機遇。在近日舉行的“中國閃存市場(chǎng)峰會(huì )(CFMS20

　　5G時(shí)代的漸行漸近。

　　對消費群體而言，5G帶來(lái)的是高帶寬低延遲的使用效果;對于企業(yè)端尤其是閃存大廠(chǎng)來(lái)說(shuō)，則是新的機遇。

　　在近日舉行的“中國閃存市場(chǎng)峰會(huì )(CFMS2018)”上，中國閃存市場(chǎng)總經(jīng)理邰煒表示，2018年全球半導體市場(chǎng)規模將達1500億美元，其中NANDFlash(閃存存儲器)將超過(guò)570億美元，而中國消耗了全球產(chǎn)能的32%，意味著(zhù)中國已是全球存儲產(chǎn)業(yè)中最為重要的市場(chǎng)。目前半導體存儲芯片廠(chǎng)商主要集中在美國、日本、韓國，中國也在快速發(fā)展。

　　隨著(zhù)5G、自動(dòng)駕駛、AI等場(chǎng)景發(fā)展對存儲的需求大幅增加，閃存大廠(chǎng)都在存儲密度、堆疊技術(shù)等方面進(jìn)行迭代，同時(shí)，NANDflash價(jià)格的大幅下滑也令技術(shù)更新訴求更為迫切。

　　集邦咨詢(xún)半導體研究中心陳玠瑋向21世紀經(jīng)濟報道記者表示，NANDFlash市場(chǎng)自2018年起，已走向供應過(guò)剩局面，直到5G時(shí)代的到來(lái)將會(huì )有所改善。對于最新的96層QLC技術(shù)，他認為到2020年上半年可實(shí)現量產(chǎn)。

　　有業(yè)內人士指出，雖然NAND市場(chǎng)整體規模持續增加，但對主控的需求成長(cháng)有限;同時(shí)主控的研發(fā)力度持續不減，隨著(zhù)技術(shù)深入迭代，其投入回報比也面臨壓力越來(lái)越大的難題。

　　技術(shù)迭代遇上降價(jià)

　　今年以來(lái)，NANDflash價(jià)格結束了過(guò)去兩年的上升態(tài)勢并轉跌，這一方面與關(guān)鍵閃存大廠(chǎng)此前的產(chǎn)能投入有關(guān)，也與技術(shù)更新?lián)Q代息息相關(guān)。

　　據中國閃存市場(chǎng)統計，2018年NANDflash綜合價(jià)格指數跌幅超過(guò)40%，同時(shí)年內主要原廠(chǎng)產(chǎn)出的3DNAND已成為主流。從3DNAND占NANDflash整體產(chǎn)能比來(lái)看，最高者美光已達90%。

　　邰煒指出，2018年新一輪投產(chǎn)即將開(kāi)始，為了填補2016、2017年提升技術(shù)導致的產(chǎn)能空缺，并加大3D投產(chǎn)，三星除了有全球最大的Fab18工廠(chǎng)以外、還有西安工程二期，包括東芝和西部數據合資的Fab6、Fab7等來(lái)看，市場(chǎng)供應將會(huì )進(jìn)一步增加?！昂罄m隨著(zhù)技術(shù)提升和產(chǎn)能增加，價(jià)格還會(huì )進(jìn)一步下滑?！?/p>

　　技術(shù)的迭代則顯示出，1TB時(shí)代很快將到來(lái)，最可見(jiàn)的表現便是在手機端應用。據統計，今年上半年，NAND原廠(chǎng)的技術(shù)主要以量產(chǎn)64層TLC(三比特單元)為主，下半年部分原廠(chǎng)已經(jīng)轉為96層TLC或者64層QLC(四比特單元)?！澳壳皝?lái)看，大規模量產(chǎn)將集中在2019年上半年，量產(chǎn)容量基本是256GB或512GB，也有部分原廠(chǎng)采用64層QLC量產(chǎn)1TB技術(shù)比如美光，長(cháng)江存儲也計劃明年量產(chǎn)64層TLC?！臂槺硎?。

　　據介紹，目前NAND2D極限容量已從128GB上升到64層512GB，96層會(huì )以512GB過(guò)渡，技術(shù)成熟以后量產(chǎn)到1TB技術(shù)。隨著(zhù)QLC的量產(chǎn)，即使采用64層QLC也可以量產(chǎn)1T容量，這也意味著(zhù)，TB時(shí)代的漸行漸近。

　　西部數據Device部門(mén)產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)與管理高級副總裁ChristopherBergey則向媒體表示，96層意味著(zhù)更大容量和更低成本。但是3D技術(shù)之美在96層之后，還是可調的，所以未來(lái)可以看到兩個(gè)趨勢——更快速度的晶圓或者更大容量的存儲技術(shù)。

　　“其實(shí)在DRAM和NANDflash之間還有很大的價(jià)格和性能的調試空間，很多供應商都想找到一個(gè)既能滿(mǎn)足性能又能滿(mǎn)足存儲要求的產(chǎn)品。對于未來(lái)市場(chǎng)會(huì )怎樣，哪種產(chǎn)品最終能夠贏(yíng)得市場(chǎng)還有待實(shí)踐?！彼a充道。

　　技術(shù)不斷迭代的市場(chǎng)可以帶來(lái)更廣闊的應用空間，但同時(shí)也面臨投資回報成本走高的難題。在前述峰會(huì )上，多名業(yè)內人士有此感慨。

　　美光集團副總裁DineshBahal就指出，到2021年，NANDflash市場(chǎng)bit(比特，信息量單位)需求總量將比2017年復合年均增長(cháng)率達40%-45%，同時(shí)在企業(yè)級云端SSD(固態(tài)硬盤(pán))、手機端和客戶(hù)級SSD方面，單個(gè)市場(chǎng)需求都將高于2017年的整體市場(chǎng)表現。

　　但他展示了一組數據，2006-2009年間，NANDflash的bit供應增速可達130%-140%;而到了2011-2015年間，增速已常態(tài)化維持在40%-45%區間。這就帶來(lái)挑戰，2006-2015年的產(chǎn)業(yè)投入均處在相似水平，隨著(zhù)年份增長(cháng)，要實(shí)現同樣的bit供應增速，投入的資金將越來(lái)越大，到2018年已需要250億美元，而2015年之前維持在平均100億美元水平。

　　群聯(lián)電子董事長(cháng)潘健成也提到，NANDFlash市場(chǎng)很大，但主控芯片的需求卻成長(cháng)有限，“比如1G用的是一個(gè)主控，100G也是一個(gè)主控，1000G還是一個(gè)主控。所以主控市場(chǎng)有沒(méi)有那么大?這是一個(gè)需要探討的問(wèn)題?！痹趦r(jià)格下降的周期內，主控廠(chǎng)商還要維持研發(fā)投入，尤其在驗證的成本耗用方面尤其明顯，投資回報率的考驗壓力越來(lái)越重。

　　為此，潘健成指出，群聯(lián)的做法是，所有環(huán)節內部統一完成，并走定制化路線(xiàn)，作為上市公司，群聯(lián)每年都會(huì )維持一定的現金流額度。

　　5G時(shí)代的大存儲訴求

　　在5G為代表的大存儲訴求之下，閃存廠(chǎng)商也在通過(guò)新技術(shù)的演進(jìn)占據應用市場(chǎng)賽道。

　　三星大中華區首席技術(shù)官裵容徹分析道，存儲在5G時(shí)代要求會(huì )更高，包括數據中心、交通設施以及移動(dòng)端連接等方面，這導致數據流量上升，也需要更多的存儲解決方案。

　　目前NAND的應用仍以SSD和嵌入式產(chǎn)品為主。據統計，以eMMC(嵌入式多媒體存儲卡)、UFS(通用閃存存儲)為主的嵌入式產(chǎn)品，在2018年消耗全球總產(chǎn)能的43%，到2021年，NANDflash市場(chǎng)在SSD應用領(lǐng)域的訴求年復合增長(cháng)率將達45%。2018年，嵌入式產(chǎn)品和SSD產(chǎn)品合計消耗超過(guò)85%的全球總產(chǎn)能。

　　“過(guò)去30年電腦的架構其實(shí)差不多，因為是以CPU為中心?？山裉斓拇鎯τ嬎阋呀?jīng)改變，因為數據中心的建立，其架構是以存儲為中心不再是CPU。這考驗的是如何讓比如手機端更快接觸到云端，而沒(méi)有時(shí)間差別，這就需要新的架構。也代表未來(lái)將以存儲為主，我們在產(chǎn)業(yè)中耕耘也很興奮?！被蹣s科技總經(jīng)理茍嘉章這樣向21世紀經(jīng)濟報道記者解釋。

　　在當下火熱的物聯(lián)網(wǎng)方面，ChristopherBergey表示，“我們認為未來(lái)自動(dòng)駕駛會(huì )有更多SSD的需求，其實(shí)當我們討論一個(gè)IoT產(chǎn)品會(huì )不會(huì )用到SSD的時(shí)候，更多考慮的是運算能力。在數據存儲這部分有更大容量需求的時(shí)候，SSD的應用場(chǎng)景會(huì )比較顯著(zhù)?！?/p>

　　其他應用場(chǎng)景方面，西部數據嵌入集成方案產(chǎn)品市場(chǎng)總監張丹向記者表示，閃存的應用訴求將主要在于有互動(dòng)的場(chǎng)景中，包括互聯(lián)家庭、工業(yè)領(lǐng)域，當前安防領(lǐng)域已經(jīng)爆發(fā)?！盎ヂ?lián)家庭場(chǎng)景應用也談了好多年，今年重回人們的關(guān)注范疇，是因為前端主芯片運算能力已經(jīng)足夠可以支撐更多功能。一個(gè)典型場(chǎng)景是智能音箱，包括很多基于傳感方式的IoT設備?！?/p>

　　在閃存應用廣泛的手機市場(chǎng)，雖然當前面臨成長(cháng)瓶頸，但這并不影響閃存廠(chǎng)商的發(fā)展。

　　ChristopherBergey向記者分析道，雖然手機在數量上增加程度非常小，可是手機本身的內存量一直在增加。我們在市場(chǎng)上的產(chǎn)品線(xiàn)，剛好還是在成長(cháng)的階段。一些手機廠(chǎng)商也在用內存的增多來(lái)多賺取利潤。

　　“同時(shí)，手機端的照相、攝影、游戲等功能，導致對存儲容量要求越來(lái)越大，部分手機已推出512GB內存就是一個(gè)證明。我們的機會(huì )并不在于手機本身的數量，而是手機的支持輔助功能越多，會(huì )讓儲存的市場(chǎng)繼續增長(cháng)?！彼缡钦f(shuō)。

　　從技術(shù)迭代方面，ChristopherBergey還指出，在手機產(chǎn)品的使用場(chǎng)景中，eMMC和UFS已經(jīng)應用在高端旗艦機中，UFS的使用率更高?！拔覀円部吹揭粋€(gè)趨勢，在最大量的中端手機產(chǎn)品中，有向使用UFS技術(shù)轉變的趨勢，所以預計在明年下半年，UFS就會(huì )漸漸變成一個(gè)市場(chǎng)的主流。實(shí)際上，不單在手機，應用場(chǎng)景比如汽車(chē)、安防領(lǐng)域也會(huì )有，只不過(guò)在這些相對比較傳統的領(lǐng)域，主芯片的演進(jìn)并沒(méi)有像在手機里推動(dòng)那么快?！?/p>

　　裵容徹則預計，UFS存儲技術(shù)從2019年開(kāi)始，會(huì )占據市場(chǎng)份額的20%以上。在NAND存儲密度上，到2030年可能達到185GB需求。