概述新一代場(chǎng)截止陽(yáng)極短路IGBT

　　圖3顯示新陽(yáng)極短路器件(FGA20S140P)、前代器件(FGA20S120M)和最佳的競爭產(chǎn)品之間的典型輸出特性對比。在額定電流20 A的條件下，FGA20S140P的飽和電壓VCE(sat)是1.9 V，而FGA20S120M的飽和電壓是1.55 V,最佳競爭產(chǎn)品的飽和電壓是1.6 V。圖4顯示反向恢復性能對比結果。SA IGBT的反向恢復性能稍遜于與IGBT共封裝的超快速恢復二極管(UFRD)。幸運的是，較高的VCE(sat)并不會(huì )對感應加熱(IH)應用造成危害。

　　圖4: 反向恢復性能對比

　　采用已針對感應加熱應用優(yōu)化了的先進(jìn)場(chǎng)截止陽(yáng)極短路技術(shù)，Fairchild最新的二代FS T SA IGBT技術(shù)，與以前版本相比，不僅顯著(zhù)提高了擊穿電壓，而且提高了開(kāi)關(guān)性能;即使如此，VCE(sat)還是稍顯偏高。采用軟開(kāi)關(guān)測試設備得到的關(guān)斷特性對比如圖5所示。FS T SA IGBT的關(guān)斷能為573μJ ，而前一代FGA20S120M的關(guān)斷能為945μJ，而最佳競爭產(chǎn)品的關(guān)斷能則為651 μJ。因此，在此模擬感應加熱應用的特定軟開(kāi)關(guān)測試中，新一代FS T SA IGBT器件的關(guān)斷能至少減少了12%!

　　圖5: Eoff對比

　　每個(gè)器件的關(guān)鍵參數對比如表1所示。

　　表1:關(guān)鍵參數對比

　　* 在Ioff= 40 A 和dv/dt = 140.1V/μs條件下測量

　　總結

　　本文介紹以類(lèi)似MOSFET的方式內嵌固有體二極管的最新一代陽(yáng)極短路IGBT.與最佳競爭產(chǎn)品和前代產(chǎn)品相比，該器件具有Eoff較小的特性?？傊?，新器件使得FS IGBT更適用于不需要高性能反向并聯(lián)二極管的軟開(kāi)關(guān)應用。