支持功率因數校正和反激拓撲的新型950 V CoolMOS P7超結MOSFET器件
2018年8月27日,德國慕尼黑訊——更高密度的低功率SMPS設計需要越來(lái)越多的高壓MOSFET器件。英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出CoolMOS? P7系列的新成員950 V CoolMOS P7超結MOSFET器件。該器件甚至能達到最嚴格的設計要求:用于照明、智能電表、移動(dòng)充電器、筆記本適配器、AUX電源和工業(yè)SMPS應用。這種全新半導體解決方案能實(shí)現出色的散熱性能及能源效率,減少用料并降低總生產(chǎn)成本。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/201808/391264.htm950 VCoolMOS P7的特性包括出色的DPAK導通電阻,能實(shí)現更高密度的設計。此外,出色的VGS(th)和最低VGS(th)容差使該MOSFET器件易于驅動(dòng)和設計。與英飛凌業(yè)界領(lǐng)先的P7系列其他成員類(lèi)似的是,該器件集成齊納二極管ESD保護機制。這可以提高裝配生產(chǎn)量,從而降低成本,并減少與ESD有關(guān)的生產(chǎn)問(wèn)題。
950 VCoolMOS P7能使效率提升達1%,并且MOSFET溫度得以降低2 ?C到10 ?C,實(shí)現更高能效的設計。相比前幾代CoolMOS系列而言,該器件還將開(kāi)關(guān)損耗降低達58%。較之市場(chǎng)上的競爭技術(shù),這方面的性能提升超過(guò)50%。
950 VCoolMOS P7采用TO-220 FullPAK、TO-251 IPAK LL、TO-252 DPAK和SOT-223封裝。這樣就可以從通孔插裝器件(THD)變?yōu)楸砻尜N裝器件(SMD)。
關(guān)于英飛凌
英飛凌科技股份公司是全球領(lǐng)先的半導體科技公司,我們讓人們的生活更加便利、安全和環(huán)保。英飛凌的微電子產(chǎn)品和解決方案將帶您通往美好的未來(lái)。2017財年(截止9月30日),公司的銷(xiāo)售額達71億歐元,在全球范圍內擁有約37,500名員工。英飛凌在法蘭克福證券交易所(股票代碼:IFX)和美國柜臺交易市場(chǎng)OTCQX International Premier(股票代碼:IFNNY)掛牌上市。
英飛凌中國
英飛凌科技股份公司于1995年正式進(jìn)入中國市場(chǎng)。自1995年10月在無(wú)錫建立第一家企業(yè)以來(lái),英飛凌的業(yè)務(wù)取得非常迅速的增長(cháng),在中國擁有約2000名員工,已經(jīng)成為英飛凌亞太乃至全球業(yè)務(wù)發(fā)展的重要推動(dòng)力。英飛凌在中國建立了涵蓋研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售、市場(chǎng)、技術(shù)支持等在內的完整的產(chǎn)業(yè)鏈,并在銷(xiāo)售、技術(shù)研發(fā)、人才培養等方面與國內領(lǐng)先的企業(yè)、高等院校開(kāi)展了深入的合作。
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