vd-mosfet 文章進(jìn)入vd-mosfet技術(shù)社區

功率模塊市場(chǎng)增長(cháng) 產(chǎn)業(yè)發(fā)展迫在眉睫

　　功率半導體器件的應用迄今已有50年歷史，自上世紀80年代以來(lái)，隨著(zhù)新型功率半導體器件尤其是電源管理芯片的蓬勃發(fā)展，功率器件極大地拓展了應用領(lǐng)域。全球各大廠(chǎng)商也不失時(shí)機地加大研發(fā)力度，占領(lǐng)市場(chǎng)高地。　　發(fā)展功率半導體產(chǎn)業(yè)迫在眉睫　　目前，我國功率半導體企業(yè)生產(chǎn)條件和產(chǎn)品大都停留在國外上世紀70年代的水平。有個(gè)別集成電路企業(yè)制造一些小電流低檔老產(chǎn)品的VD-MOSFET，IGBT、平面型快恢復和超快恢復二極管完全不能制造。因此，我國市場(chǎng)用的功率器件約90%依賴(lài)進(jìn)口，其余約10%低檔產(chǎn)品是自己制造的。
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 功率半導體 VD-MOSFET 模擬IC 電源

基于MOSFET控制的PWM型直流可調電源的研制

　　引言　　功率場(chǎng)效應管MOSFET是一種單極型電壓控制器件，它不但具有自關(guān)斷能力，而且具有驅動(dòng)功率小，關(guān)斷速度快等優(yōu)點(diǎn)，是目前開(kāi)關(guān)電源中常用的開(kāi)關(guān)器件。采用MOSFET 控制的開(kāi)關(guān)電源具有體積小、重量輕、效率高、成本低的優(yōu)勢，因此，較適合作儀器電源。本文給出了一種由MOSFET 控制的大范圍連續可調(0～45V) 的小功率穩壓電源設計實(shí)例。　　總體結構與主電路　　圖1 為該電源的總體結構框圖。工作原理如下：　　　　圖1 　原理方框圖　　全橋整流電路將電網(wǎng)電壓220V
關(guān)鍵字：消費電子 MOSFET 功率場(chǎng)效應管 PWM 電源

選擇正確的MOSFET：工程師所需要知道的

隨著(zhù)制造技術(shù)的發(fā)展和進(jìn)步，系統設計人員必須跟上技術(shù)的發(fā)展步伐，才能為其設計挑選最合適的電子器件。MOSFET是電氣系統中的基本部件，工程師需要深入了解它的關(guān)鍵特性及指標才能做出正確選擇。本文將討論如何根據RDS(ON)、熱性能、雪崩擊穿電壓及開(kāi)關(guān)性能指標來(lái)選擇正確的MOSFET。　　MOSFET的選擇　　MOSFET有兩大類(lèi)型：N溝道和P溝道。在功率系統中，MOSFET可被看成電氣開(kāi)關(guān)。當在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，其開(kāi)關(guān)導通。導通時(shí)
關(guān)鍵字： MOSFET 元件制造

凌力爾特推出電源電壓 (100V) 同步 MOSFET 驅動(dòng)器 LTC4444

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高輸入電源電壓 (100V) 同步 MOSFET 驅動(dòng)器 LTC4444，該器件用于在同步整流轉換器拓撲中驅動(dòng)高端和低端功率的 N 溝道 MOSFET。這個(gè)驅動(dòng)器可與功率 MOSFET 以及凌力爾特公司的很多 DC/DC 控制器一起組成完整的高效率同步轉換器。這個(gè)強大的驅動(dòng)器可采用 1.2Ω 的下
關(guān)鍵字：嵌入式系統單片機凌力爾特 MOSFET LTC4444 模擬IC

凌力爾特推出高速同步MOSFET驅動(dòng)器 LTC4442/-1

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驅動(dòng)器 LTC4442/-1，該器件用來(lái)在同步整流轉換器拓撲中驅動(dòng)高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這種驅動(dòng)器與凌力爾特公司很多 DC/DC 控制器組合使用時(shí)，可組成完整的高效率同步穩壓器，該穩壓器可用作降壓或升壓型 DC/DC 轉換器。這個(gè)強大的驅動(dòng)器可以吸收高達
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FAN3XXX系列高速低端MOSFET驅動(dòng)器概述

關(guān)鍵字： FAN3XXX MOSFET 低端驅動(dòng)器

可測試低電流電源的簡(jiǎn)單雙恒流載荷

當今的小型家電，如洗碗機、烘干機、電爐等用開(kāi)關(guān)電源代替了體積笨重的線(xiàn)性電源。工程師對這些電流從50mA~1A的電源進(jìn)行了測試，一般使用電阻或標準現成的電負載。工程師會(huì )使用各種大功率電阻來(lái)檢驗多種負載條件以滿(mǎn)足合適的設計。多數標準的電負載都是針對平均300W功率的。在測量50mA ~ 300mA電流時(shí)，顯示結果并不準確，多數顯示為0.1A，那樣低的電流不能保證精度。還可以使用圖1中的簡(jiǎn)單雙恒流負載設計，這種設計可以利用廉價(jià)的通用元件來(lái)構建電路。負載電流流過(guò)MOSFET和一個(gè) 1Ω
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 雙恒流載荷 MOSFET 運算放大器放大器

飛兆半導體再獲殊榮贏(yíng)得十大DC-DC 2007產(chǎn)品大獎

飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 再次榮獲《今日電子》雜志的十大 DC-DC 2007產(chǎn)品大獎，獲評審小組肯定而勝出的產(chǎn)品是飛兆半導體全面優(yōu)化的集成式12V驅動(dòng)器加MOSFET功率級解決方案FDMF8700。飛兆半導體的30V同步降壓轉換器芯片組FDS6298和FDS6299S則于2006年獲得相同獎項。 FDMF8700將驅動(dòng)器IC和兩個(gè)功率MOSFET集成在一個(gè)節省空間的8mm x 8mm的56腳M
關(guān)鍵字：消費電子飛兆半導體 FDMF8700 MOSFET 消費電子

飛兆發(fā)布高效N溝道MOSFET FDS881XNZ系列

飛兆半導體公司(FairchildSemiconductor)近日推出全新的高效N溝道MOSFET系列，提供高達8kV的ESD(HBM)電壓保護，較市場(chǎng)現有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于電池組保護應用(如筆記本電腦和手機)的最新架構。利用飛兆半導體的PowerTrench工藝，這些低導通阻抗(RDS(ON))MOSFET(包括RDS(ON)低于5mOhm的FDS8812NZ)能夠降低傳導損耗并且延長(cháng)寶貴的電池壽命。它們還提供堅固穩健的抗雪崩和抗峰值電流能力，確保電池組在意外的電壓尖峰沖擊下
關(guān)鍵字：嵌入式系統單片機飛兆 MOSFET FDS881XNZ 嵌入式

飛兆半導體的N溝道MOSFET系列產(chǎn)品提供更高的ESD性能

飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的高效N溝道MOSFET系列，提供高達8kV 的ESD (HBM) 電壓保護，較市場(chǎng)現有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于電池組保護應用 (如筆記本電腦和手機) 的最新架構。利用飛兆半導體的Power Trench®工藝，這些低導通阻抗 (RDS(ON)) MOSFET (包括RDS(ON)&
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電源技術(shù)的創(chuàng )新與發(fā)展

1 引言　　人類(lèi)的經(jīng)濟活動(dòng)已經(jīng)到了工業(yè)經(jīng)濟時(shí)代，并正在轉入高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展的時(shí)期。電源是位于市電（單相或三相）與負載之間，向負載提供優(yōu)質(zhì)電能的供電設備，是工業(yè)的基礎。　　電源技術(shù)是一種應用功率半導體器件，綜合電力變換技術(shù)、現代電子技術(shù)、自動(dòng)控制技術(shù)的多學(xué)科的邊緣交叉技術(shù)。隨著(zhù)科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，電源技術(shù)又與現代控制理論、材料科學(xué)、電機工程、微電子技術(shù)等許多領(lǐng)域密切相關(guān)。目前電源技術(shù)已逐步發(fā)展成為一門(mén)多學(xué)科互相滲透的綜合性技術(shù)學(xué)科。他對現代通訊、電子儀器、計算機、工業(yè)自動(dòng)化、電力工程、國防及某些
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 創(chuàng )新高頻 MOSFET 模擬IC 電源

帶電流感應的±4A數字控制兼容型單低端MOSFET驅動(dòng)

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò )家園
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高速MOSFET柵極驅動(dòng)電路的設計與應用指南

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò )家園
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NEC電子推出8款汽車(chē)用功率MOSFET產(chǎn)品

　　NEC電子近日完成了8款用于汽車(chē)的P溝道功率MOSFET(金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管)小型封裝產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)，并將于即日起開(kāi)始發(fā)售樣品。　　此次推出的新產(chǎn)品主要用于繼電器、電機等通過(guò)電流為數十安培的控制單元，其中NP50P04等4款產(chǎn)品為40V耐壓、導通阻抗為業(yè)界最低的產(chǎn)品；另外4款產(chǎn)品與現有的60V耐壓品相比，導通阻抗最大可減至一半。　　對于汽車(chē)廠(chǎng)商及器件廠(chǎng)商等用戶(hù)而言，使用低導通阻抗產(chǎn)品可以減少電流流經(jīng)時(shí)產(chǎn)生的熱量，從而減輕電路設計時(shí)的負擔。　　新產(chǎn)品的樣品價(jià)格因耐壓及導通阻抗的不同而有
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高功率便攜式DC-DC中MOSFET功耗的計算

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關(guān)鍵字： MaximIntegratedProducts MOSFET DC/DC