雙向可控硅使用經(jīng)典守則

由于構造較為簡(jiǎn)單僅需一個(gè)觸發(fā)電路就能進(jìn)行工作，雙向可控硅能夠作為較為理想的交流開(kāi)關(guān)器件來(lái)使用，應用范圍在近幾年來(lái)有逐漸增大的趨勢。本文將對確保閘流管和雙向可控硅順利完美工作的十個(gè)條件進(jìn)行介紹，幫助大家完善設計。

規則1

為了導通閘流管(或雙向可控硅)，必須有門(mén)極電流RIGT，直至負載電流達到RIL。這條件必須滿(mǎn)足，并按可能遇到的最低溫度考慮。

規則2

要斷開(kāi)(切換)閘流管(或雙向可控硅)，負載電流必須間，使能回復至截止狀態(tài)。在可能的最高運行溫度下必須滿(mǎn)足上述條件。

規則3

設計雙向可控硅觸發(fā)電路時(shí)，只要有可能，就要避開(kāi)3+象限(WT2-，+)。

規則4

為減少雜波吸收，門(mén)極連線(xiàn)長(cháng)度降至最低。返回線(xiàn)直接連至MT1(或陰極)。若用硬線(xiàn)，用螺旋雙線(xiàn)或屏蔽線(xiàn)。門(mén)極和MT1間加電阻1kΩ或更小。高頻旁路電容和門(mén)極間串接電阻。另一解決辦法，選用H系列低靈敏度雙向可控硅。

規則5

若dVD/dt或dVCOM/dt可能引起問(wèn)題，在MT1和MT2間加入RC緩沖電路。若高dICOM/dt可能引起問(wèn)題，加入一幾mH的電感和負載串聯(lián)。另一種解決辦法，采用Hi-Com雙向可控硅。

規則6

假如雙向可控硅的VDRM在嚴重的、異常的電源瞬間過(guò)程中有可能被超出，采用下列措施之一：

負載上串聯(lián)電感量為幾μH的不飽和電感，以限制dIT/dt;用MOV跨接于電源，并在電源側增加濾波電路。

規則7

選用好的門(mén)極觸發(fā)電路，避開(kāi)3+象限工況，可以最大限度提高雙向可控硅的dIT/dt承受能力。

規則8

若雙向可控硅的dIT/dt有可能被超出，負載上最好串聯(lián)一個(gè)幾μH的無(wú)鐵芯電感或負溫度系數的熱敏電阻。另一種解決辦法：對電阻性負載采用零電壓導通。

規則9

器件固定到散熱器時(shí)，避免讓雙向可控硅受到應力。固定，然后焊接引線(xiàn)。不要把鉚釘芯軸放在器件接口片一側。

規則10

為了長(cháng)期可靠工作，應保證Rthj-a足夠低，維持Tj不高于Tjmax，其值相應于可能的最高環(huán)境溫度。