雙向可控硅在導通dIT/dt中的規范介紹

雙向可控硅是近年來(lái)表現較為優(yōu)秀的一種交流開(kāi)關(guān)器件，其在應用上又有著(zhù)較為明顯的多樣性?xún)?yōu)勢。在之前的文章中，小編曾為大家介紹過(guò)關(guān)于雙向可控硅應用中關(guān)于導通的相關(guān)規則技巧。本文將為大家介紹雙向可控硅在導通時(shí)dIT/dt的應用規則與技巧。

在進(jìn)行雙向可控硅應用時(shí)，需要選用好的門(mén)極觸發(fā)電路，避開(kāi)3+象限工況，可以最大限度提高雙向可控硅的dIT/dt承受能力。

具有高初始涌入電流的常見(jiàn)負載是白熾燈，冷態(tài)下電阻低。對于這種電阻性負載，若在電源電壓的峰值開(kāi)始導通，dIT/dt將具有最大值。假如這值有可能超過(guò)雙向可控硅的dIT/dt值，最好在負載上串聯(lián)一只幾μH的電感加以限制，或串聯(lián)負溫度系數的熱敏電阻。重申，電感在最大電流下不能飽和。一旦飽和，電感將跌落，再也不能限制dIT/dt。無(wú)鐵芯的電感符合這個(gè)條件。一個(gè)更巧妙的解決辦法是采用零電壓導通，不必接入任何限制電流的器件。電流可以從正弦波起點(diǎn)開(kāi)始逐漸上升。注意：應該提醒，零電壓導通只能用在電阻性負載。對于電感性負載，由于電壓和電流間存在相位差，使用這方法會(huì )引起“半波”或單極導通，可能使電感性負載飽和，導致破壞性的高峰電流，以及過(guò)熱。這種場(chǎng)合，更先進(jìn)的控制技術(shù)采用零電流切換或變相位角觸發(fā)。

若雙向可控硅的dIT/dt有可能被超出，負載上最好串聯(lián)一個(gè)幾μH的無(wú)鐵芯電感或負溫度系數的熱敏電阻。另一種解決辦法：對電阻性負載采用零電壓導通。

相信大家在閱讀過(guò)本文之后都對雙向可控硅導通dIT/dt有了全新的認識，只要按照文中給出的相關(guān)規則進(jìn)行雙向可控硅導通dIT/dt，相信便能順利完成讀者所需的設計。在之后的文章中，小編將為大家繼續介紹雙向可控硅在其他應用中的規范與技巧。