深度剖析COB LED溫度分布機理及測量方法

LED產(chǎn)品的可靠性與光源的溫度密切相關(guān)，由于 COB 光源采用多顆芯片高密度封裝，其溫度分布、測量與 SMD 光源有明顯不同。下面從技術(shù)層面出發(fā)，介紹 COB 光源的溫度分布特點(diǎn)與其內在機理，并對常用的溫度測量方法進(jìn)行比較。

引言

COB (Chip-on-Board) 封裝技術(shù)因其具有熱阻低、光通量密度高、色容差小、組裝工序少等優(yōu)勢，在業(yè)內受到越來(lái)越多的關(guān)注。COB 封裝技術(shù)已在 IC 集成電路中應用多年，但對于廣大的燈具制造商和消費者，LED 光源采用 COB 封裝還是新穎的技術(shù)。

LED 產(chǎn)品的可靠性與光源的溫度密切相關(guān)，由于 COB 光源采用多顆芯片高密度封裝，其溫度分布、測量與 SMD 光源有明顯不同。

COB 光源的溫度分布

COB 封裝就是將芯片直接貼裝到光源的基板上，使用時(shí) COB 光源與熱沉直接相連，無(wú)需進(jìn)行 SMT 表面組裝。SMD 封裝則先將芯片貼裝在支架上成為一個(gè)器件，使用時(shí)需將器件貼裝到基板上再與熱沉連接。

兩者的熱阻結構示意圖如圖1所示，相對于 SMD 器件，COB 熱阻比 SMD 在使用時(shí)少了支架層熱阻與焊料層熱阻，芯片的熱量更容易傳遞到熱沉。

圖1：熱阻結構示意圖

1、常用溫度測量方法比較

常用的溫度傳感器類(lèi)型有熱電偶、熱電阻、紅外輻射器等。熱電偶是由兩條不同的金屬線(xiàn)組成，一端結合在一起，該連接點(diǎn)處的溫度變化會(huì )引起另外兩端之間的電壓變化，通過(guò)測量電壓即可反推出溫度。熱電阻利用材料的電阻隨材料的溫度變化的機理，通過(guò)間接測量電阻計算出溫度。

紅外傳感器通過(guò)測量材料發(fā)射出的輻射能量進(jìn)行溫度測量，三者的主要特征如表1所示。

表1：溫度測量方法對比

熱電偶成本低廉，在測溫領(lǐng)域中最為廣泛，探頭的體積越小，對溫度越靈敏，IEC60598 要求熱電偶探頭涂上高反射材料減少光對溫度測量的影響。但如果將熱電偶直接貼在發(fā)光面上進(jìn)行測量，探頭吸光轉換成熱的效果十分明顯，會(huì )導致測量值偏高。

實(shí)際測量中有不少技術(shù)人員習慣用高溫膠帶進(jìn)行探頭固定，如圖2所示。這種粘接會(huì )加劇這種吸光轉熱效應，導致測量值嚴重偏高，偏差可達50℃以上。

圖2：錯誤的溫度測量方式

因此，為避免光對熱電偶的影響，建議使用紅外熱成像儀進(jìn)行溫度測量，紅外熱成像儀除具有響應時(shí)間快、非接觸、無(wú)需斷電、快速掃描等優(yōu)點(diǎn)，還可以實(shí)時(shí)顯示待測物體的溫度分布。紅外測溫原理是基于斯特藩—玻耳茲曼定理，可用以下公式表示。

其中P(T)為輻射能量，σ 為斯特藩—玻耳茲曼常量，ε 為發(fā)射率，紅外測溫的精確與待測材料的發(fā)射率密切相關(guān)，由于 COB 光源表面的大部分材料發(fā)射率是未知的，為了精準測溫，可將光源放置在恒溫加熱臺上，待光源加熱到一個(gè)已知溫度處于熱平衡狀態(tài)后，用紅外熱成像儀測量物體表面溫度，再調整材料的發(fā)射率，使其溫度顯示為正確溫度。

2、發(fā)光面溫度實(shí)測

為進(jìn)一步從實(shí)驗上研究 COB 光源的熱分布，選用高反射率鏡面鋁為基板作為對象，這種封裝結構一方面可大幅提高出光效率，另一方面封裝形式采用熱電分離的形式，沒(méi)有普通鋁基板的絕緣層作為阻攔，可進(jìn)一步降低熱阻和結溫，實(shí)現 COB 光源高光通量密度輸出。

圖3：待測鏡面鋁 COB 光源外觀(guān)