光耦電路中常常被人忽視的6個(gè)關(guān)鍵參數

光耦設計在電路中的主要作用，是對光能與電能進(jìn)行隔離，從而達到防止干擾保護電路運行狀態(tài)額目的。但是在對光耦電路進(jìn)行設計之前，首先需要了解一些基礎的且較為重要的知識點(diǎn)，否則在設計過(guò)程中就有可能造成不必要的錯誤，達不到保護電路的目的。

光電耦合器的優(yōu)勢有目共睹，其體積小、壽命長(cháng)、無(wú)觸點(diǎn)，抗干擾能力強，輸出和輸入之間絕緣，單向傳輸信號表現優(yōu)異，在數字電路上也有廣泛的應用。而在光耦電路設計中，有兩個(gè)參數常常被人忽視，需要格外注意。

反向電壓

反向電壓Vr，是指原邊發(fā)光二極管所能承受的最大反向電壓，超過(guò)此反向電壓，可能會(huì )損壞LED。而一般光耦中，這個(gè)參數只有5V左右，在存在反壓或振蕩的條件下使用時(shí)，要特別注意不要超過(guò)反向電壓。如，在使用交流脈沖驅動(dòng)LED時(shí)，需要增加保護電路。

電流傳輸比

另外一個(gè)參數是光耦的電流傳輸比，是指在直流工作條件下，光耦的輸出電流與輸入電流之間的比值。光耦的CTR類(lèi)似于三極管的電流放大倍數，是光耦的一個(gè)極為重要的參數，它取決于光耦的輸入電流和輸出電流值及電耦的電源電壓值，這幾個(gè)參數共同決定了光耦工作在放大狀態(tài)還是開(kāi)關(guān)狀態(tài)，其計算方法與三極管工作狀態(tài)計算方法類(lèi)似。若輸入電流、輸出電流、電流傳輸比設計搭配不合理，可能導致電路不能工作在預想的工作狀態(tài)。

除上述兩個(gè)參數外，光耦還有幾個(gè)參數是比較重要的，如：

正向工作電壓Vf

Vf是指在給定的工作電流下，LED本身的壓降。常見(jiàn)的小功率LED通常以If=10mA來(lái)測試正向工作電壓，當然不同的LED，測試條件和測試結果也會(huì )不一樣。

集電極電流Ic

光敏三極管集電極所流過(guò)的電流，通常表示其最大值。

C-E飽和電壓Vce

即光敏三極管的集電極-發(fā)射極飽和壓降。

上升時(shí)間Tr與下降時(shí)間Tf

其定義與典型測試方法如圖2所示，它們反映了工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)的光耦，其開(kāi)關(guān)速度情況。

以上6個(gè)參數是在光耦電路中較為重要，但也是經(jīng)常被設計者們所忽略的關(guān)鍵點(diǎn)。在接觸光耦設計之前對這幾個(gè)參數進(jìn)行一定程度上的了解，能夠最大程度的避免光耦電路設計錯誤情況的發(fā)生。與此同時(shí)，在光耦電路發(fā)生錯誤的時(shí)候也可先從這些參數入手，看看是否是關(guān)鍵參數出了問(wèn)題。