一種新型共模反饋結構

作者　 胡國林 電子科技大學(xué)(四川 成都 610054)

胡國林(1991-)，男，碩士，工程師，研究方向：集成電路。

摘要：提出并設計了一種應用于CMOS全差分運放結構中的共模反饋電路。同傳統結構的共模反饋結構相比，該結構能夠使輸出共模電平具有零延遲建立的特性，同時(shí)，不影響全差分運算放大器的輸出擺幅，并且相較于傳統結構，減少了開(kāi)關(guān)數量，降低了開(kāi)關(guān)電荷注入、時(shí)鐘饋通，消除了初始電荷的影響。此新型共模反饋結構既有連續時(shí)間共模反饋速度較快、精度較高的優(yōu)點(diǎn)，又有開(kāi)關(guān)電容共模反饋輸出擺幅大線(xiàn)性度好的優(yōu)點(diǎn)?；?Cadence spectre 對電路進(jìn)行了仿真驗證，結果表明，該結構的共模反饋具有快速的建立時(shí)間以及較大的輸出擺幅。

0 引言

　　差分放大器是最重要的電路發(fā)明之一，它可以追溯到真空管時(shí)代。由于差分放大具有很多有用的特性，所以它已經(jīng)成為當代高性能模擬電路和混合信號電路的主要選擇。而帶有共模反饋結構的全差分運算放大器是普遍運用的基本電路單元，廣泛應用于各種模擬器件中，如A/D，D/A等^[1-2]。

　　具有高輸出擺幅、快速穩定和高精度的全差分運算放大器對模擬電路的設計尤為重要，而共模反饋結構直接影響到全差分運算放大器的各項性能，已有許多文章對某些性能提出了改進(jìn)的結構^[3-5]。共模反饋結構可以分為連續時(shí)間共模反饋結構和開(kāi)關(guān)電容共模反饋結構。連續時(shí)間共模反饋結構主要應用于連續時(shí)間電路中，但是在連續時(shí)間共模反饋結構中如果通過(guò)電阻檢測輸出共模電壓會(huì )顯著(zhù)降低電路的差動(dòng)電壓增益，通過(guò)MOSFETs作為檢測器件會(huì )限制全差分運放的輸出線(xiàn)性范圍。開(kāi)關(guān)電容共模反饋結構在這幾方面具有優(yōu)勢^[6]，但傳統開(kāi)關(guān)共模反饋結構的共模電壓建立時(shí)間較慢，共模穩定電壓波動(dòng)較大，且因使用較多MOS開(kāi)關(guān)而通過(guò)時(shí)鐘饋通和電荷注入引入噪聲，限制了全差分運算放大器的速度和精度。

1 傳統共模反饋結構分析

　　1.1 傳統開(kāi)關(guān)電容共模反饋結構

　　由式(3)可知，開(kāi)關(guān)電容共模反饋首先檢測輸出共模電壓，再與理想共模電壓比較，最后疊加一個(gè)直流偏置電壓來(lái)調節共模反饋電流源偏置電壓Vcmfb，這需要一個(gè)比較長(cháng)的建立時(shí)間，并且開(kāi)關(guān)數量較多，電荷注入和時(shí)鐘饋通的影響較大。

　　1.2 傳統連續時(shí)間共模反饋結構

　　傳統的連續時(shí)間共模反饋有多種結構，其中一種低功耗結構如圖2所示。這里，M₁~M₄都是匹配的，源耦合對M₁-M₂和M₃-M₄一起檢測共模輸出電壓并產(chǎn)生一個(gè)與輸出共模和V_cm的差成比例的輸出電壓V_bias。

　　此結構能正常工作的前提是M₁~M₄總工作在放大區且電壓V_op-V_cm和V_on-V_cm能看成是小信號輸入。即使這些電壓變大，共模反饋環(huán)路只要M₁~M₄仍存在就會(huì )繼續工作。若在輸出范圍的某一部分，運算放大器輸出變得足夠大能使M₁~M₄中的一個(gè)截止，則在那段輸出部分共模反饋環(huán)路將不會(huì )正常工作。M₁~M₄在整個(gè)輸出范圍內仍存在的要求限制了運算放大器的輸出范圍。

2 改進(jìn)的共模反饋結構

　　為了克服上述連續時(shí)間共模反饋電路輸出擺幅受限和開(kāi)關(guān)電容共模反饋電路共模電壓建立緩慢、開(kāi)關(guān)噪聲注入較大的缺點(diǎn)，提出了一種新型開(kāi)關(guān)電容共模反饋結構，該結構原理圖如圖3所示。

　　其中①部分稱(chēng)為輸出電壓縮放模塊，②部分稱(chēng)為共模電平檢測放大模塊，②中的三端運放結構為圖2中的共模反饋結構。V_cmfb是圖2中的V_bias電壓，反饋到差分運算放大器調節輸出共模電平，S1和S2由同一時(shí)鐘控制。

　　其工作原理如下：

　　在第一個(gè)時(shí)刻，開(kāi)關(guān)S1和S2閉合，則電容C1被短路，此時(shí)要求全差分運算放大器的輸入短路，以使輸出差分電平為零，共模電平檢測放大模塊直接檢測全差分運算放大器的輸出電平，并反饋電壓V_cmfb穩定輸出共模電壓至V_cm。

　　下一個(gè)時(shí)刻，開(kāi)關(guān)S1和S2都斷開(kāi)，此時(shí)進(jìn)入放大模式，全差分運放輸出的電壓變化通過(guò)電容C1和C2按一定比例縮放后，由共模電平檢測放大模塊(202)檢測，并反饋電壓V_cmfb至全差分運算放大器的電流源偏置點(diǎn)，穩定輸出共模電壓。

　　此新型開(kāi)關(guān)電容共模反饋結構和傳統的開(kāi)關(guān)電容共模反饋結構相比，不需要使用非交疊時(shí)鐘，開(kāi)關(guān)數量減少，引入更低噪聲，且在每一個(gè)周期共模電壓都可以完全建立，建立時(shí)間不受限制。與傳統的連續時(shí)間共模反饋結構相比，輸出擺幅增加，也不會(huì )增加阻性負載。

3 仿真結果

　　采用HLMC 40 nm CMOS 工藝設計了一款全差分運放并運用本設計提出的新型共模反饋結構，基于Cadence Spectre模擬器上對其進(jìn)行仿真，仿真結果如圖4(b)和圖5(b)所示。同時(shí)給出了圖1和圖2中共模反饋的輸出曲線(xiàn)圖(圖4(a)和圖5(a))以作對比。

　　圖4(a)為傳統開(kāi)關(guān)電容共模反饋瞬態(tài)仿真圖，圖4(b)為本設計的共模反饋結構瞬態(tài)仿真圖，可以明顯看出本設計的共模反饋結構的共模電壓建立時(shí)間大大縮短，可以保障差分運放的快速正常工作。圖5(a)為圖2所示的傳統連續時(shí)間共模反饋結構的直流仿真圖，圖5(b)為本設計的共模反饋結構的直流仿真圖，仿真方法為在輸入加入差分電壓，得到輸出電壓值，從對比中可見(jiàn)，本設計共模反饋結構不會(huì )限制差分運算放大器的輸出擺幅，可以在全輸出范圍內穩定輸出共模電平。

4 結論

　　本文分析了傳統共模反饋電路的原理及其存在的問(wèn)題，提出了一種新的共模反饋電路，該電路克服了傳統開(kāi)關(guān)電容反饋結構對共模電平建立時(shí)間的要求，同時(shí)對差分運放的輸出擺幅沒(méi)有影響。采用HLMC 40 nm CMOS 工藝設計了一款全差分運算放大器進(jìn)行仿真驗證，結果表明該結構具有快速的穩定時(shí)間以及寬輸出擺幅，可廣泛應用于全差分運算放大器。

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　　本文來(lái)源于《電子產(chǎn)品世界》2018年第8期第58頁(yè)，歡迎您寫(xiě)論文時(shí)引用，并注明出處。