下一代同步整流控制技術(shù)增強電源運行參數

在當今的高性能的電源系統設計中，確?？煽啃灾陵P(guān)重要，因此高效的功能必須可以處理潛在的問(wèn)題。同步整流電流反向就是這樣一個(gè)問(wèn)題。這發(fā)生在電容電流(寄生效應引起的)導致MOSFET在輕負載的情況下被過(guò)早激活時(shí)– 然后反向電流從輸出電容流回同步整流器。這不僅導致系統能效受到嚴重影響，還可能會(huì )導致運行故障。

為了防止這種情況的發(fā)生，必須在系統處于輕載條件時(shí)采取措施增加延遲。自適應死區時(shí)間控制機制可以彌補寄生電感的存在，從而減輕體二極管導通的不良影響。通過(guò)這種方法，可以調整同步整流器關(guān)斷點(diǎn)，以保持一個(gè)恒定的死區時(shí)間，而不受當時(shí)輸出負載的影響。從而持續保持高能效和對相應的熱管理規定更少的要求(由于散熱的減少)。

得益于專(zhuān)有的自適應死區時(shí)間控制算法，安森美半導體的FAN6248雙MOSFET驅動(dòng)器控制器IC，能夠充分解決上述挑戰。同時(shí)，它可以幫助工程師最大化電源能效，并使系統盡可能緊湊、簡(jiǎn)單和具性?xún)r(jià)比。

該器件優(yōu)化用于現代LLC諧振轉換器拓撲結構，最大限度地減少同步整流MOSFET的體二極管傳導。它通過(guò)使用一個(gè)獨特的控制方法，消除了電流反向的隱患，還可以避免同步整流誤觸發(fā)。通過(guò)兩個(gè)感測輸入，可以準確地確定MOSFET兩端的漏源電壓，從而考慮到關(guān)于次級繞組的任何不對稱(chēng)或不良耦合。如果經(jīng)證實(shí)死區時(shí)間太長(cháng)，那么偏置電壓相應降低。從而提高M(jìn)OSFET的電壓閾值，繼而使同步整流器的導通時(shí)間延長(cháng)(因此縮短相關(guān)的死區時(shí)間)。反之，如果死區時(shí)間太短，則降低MOSFET的電壓閾值，從而抑制同步整流器的導通期。指定FAN6248控制器能夠提高系統的電源能效，和實(shí)現在整個(gè)負載范圍內的穩定運行(無(wú)電流反向的風(fēng)險)。