專(zhuān)家稱(chēng)“后摩爾時(shí)代”高端硅基材料是關(guān)鍵

　　近日，香山科學(xué)會(huì )議第626次學(xué)術(shù)討論會(huì )在上海舉行，會(huì )議聚焦了高端硅基材料及器件關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題。與會(huì )專(zhuān)家認為，硅基材料及器件的創(chuàng )新將決定未來(lái)集成電路及相關(guān)信息技術(shù)的發(fā)展。

　　著(zhù)名的“摩爾定律”提出，集成電路上可容納的元器件的數目，每隔約18至24個(gè)月便會(huì )增加一倍，性能也將提升一倍。當前，在摩爾定律引領(lǐng)下的集成電路生產(chǎn)正在逼近物理定律的極限，“后摩爾時(shí)代”已經(jīng)來(lái)臨。集成電路縮小至納米尺度后泄漏電流導致的功耗問(wèn)題，成為當前微電子領(lǐng)域亟待解決的關(guān)鍵科學(xué)問(wèn)題。

　　“高端硅基材料是集成電路發(fā)展的基石?！睍?huì )議執行主席之一、中科院上海微系統與信息技術(shù)研究所研究員、中科院院士王曦在會(huì )議報告中表示。絕緣體上的硅是應用前景廣泛的高端硅基襯底材料, 憑借其獨特的結構，可實(shí)現器件全介質(zhì)隔離、抗輻射、高速、低功耗等。

　　當前，“后摩爾時(shí)代”以“感知”為特征，微電子發(fā)展更強調將具有不同功能的非數字器件，包括功率器件、射頻器件等互相組合與互補金屬氧化物半導體電路集成。對此，與會(huì )專(zhuān)家認為，發(fā)展硅基異質(zhì)集成材料技術(shù)應得到格外重視，這一技術(shù)將為突破摩爾定律極限新路徑、發(fā)展單芯片多樣化功能集成，突破寬帶光信息傳輸、交換與處理集成芯片關(guān)鍵技術(shù)提供材料支撐。

　　同時(shí)，面對“后摩爾時(shí)代”集成電路的功耗瓶頸問(wèn)題，應當加大基礎研究投入，提前布局新結構新原理器件，面向下一代計算架構的新器件技術(shù)，實(shí)現材料—器件—電路—系統—算法的協(xié)同設計，滿(mǎn)足未來(lái)低功耗、智能、安全器件/芯片的需求。