高功率半導體激光器的過(guò)去與未來(lái)

　　二極管泵浦固態(tài)和光纖激光器

　　高功率半導體激光器的改進(jìn)使下游激光器技術(shù)的發(fā)展成為可能;在下游激光器技術(shù)領(lǐng)域，半導體激光器被用于激發(fā)(泵浦)摻雜晶體(二極管泵浦固態(tài)激光器)或摻雜光纖(光纖激光器)。

　　雖然半導體激光器提供高效率，低成本的激光能源，但有其有兩個(gè)關(guān)鍵限制：它們不儲存能量、亮度也有限?；旧线@兩種激光器需要用于許多應用：其中一個(gè)用于將電轉換成激光發(fā)射，另外一個(gè)則用來(lái)增強該激光發(fā)射的亮度。

　　二極管泵浦固體激光器。在二十世紀八十年代后期，用半導體激光器泵浦固體激光器的應用開(kāi)始在商業(yè)應用中逐漸普及。二極管泵浦固體激光器(DPSSL)極大地縮小了熱管理系統(主要是循環(huán)冷卻器)的尺寸和復雜性，并且獲得了歷來(lái)結合了弧光燈用于泵浦固態(tài)激光晶體的模塊。

　　半導體激光器波長(cháng)的選擇是基于它們與固態(tài)激光增益介質(zhì)的光譜吸收特性的重疊來(lái)進(jìn)行的;與弧光燈的寬帶發(fā)射光譜相比，極大地降低了熱負荷。由于1064nm釹基激光器的普及，20多年以來(lái)，808nm泵浦波長(cháng)成為半導體激光器中數量最大的波長(cháng)。

　　隨著(zhù)多模半導體激光器亮度的提高以及在2000年中期能夠用體布拉格光柵(VBGs)穩定窄發(fā)射線(xiàn)寬的能力，實(shí)現了第二代改進(jìn)的二極管泵浦效率。880nm左右的較弱和光譜窄的吸收特征成為了高亮度泵浦二極管的研究熱點(diǎn)，這些二極管能實(shí)現光譜穩定。這些更高性能的激光器能夠直接激發(fā)釹中的激光上能級4F3 / 2，減少了量子缺陷，從而改善了平均功率更高的基模提取，否則將會(huì )受到熱透鏡的限制。

　　到2010年初，我們目睹了單橫模1064nm激光器及相關(guān)系列頻率轉換激光器在可見(jiàn)光和紫外波段工作的大功率縮放趨勢。由于Nd：YAG和Nd：YVO4較長(cháng)的高能態(tài)壽命，這些DPSSL的Q開(kāi)關(guān)操作提供了高脈沖能量和峰值功率，非常適合于燒蝕材料加工和高精度微加工應用。

　　光纖激光器。光纖激光器提供了一種轉換高功率半導體激光器亮度的更加有效的方式。盡管波長(cháng)復用光學(xué)器件可以將亮度相對較低的半導體激光器轉換為較亮的半導體激光器，但這卻是以增加光譜寬度和光學(xué)機械復雜度為代價(jià)的。光纖激光器已被證明在光度轉換中特別有效。

　　在20世紀90年代引入的雙包層光纖使用由多模包層環(huán)繞的單模光纖，可以將更高功率，更低成本的多模半導體泵浦激光器高效地投入光纖，從而創(chuàng )造出一種更經(jīng)濟的方式來(lái)將高功率半導體激光器到轉換成更明亮的激光器。對于摻雜鐿(Yb)的光纖而言，該泵浦激發(fā)了以915 nm為中心的寬吸收或976 nm左右的較窄帶特征。隨著(zhù)泵浦波長(cháng)接近光纖激光器的激射波長(cháng)，所謂的量子缺陷就會(huì )減少，從而效率最大化，余熱消散量最小化。

　　光纖激光器和二極管泵浦固體激光器都依賴(lài)于二極管激光亮度的改進(jìn)。一般來(lái)說(shuō)，隨著(zhù)二極管激光器亮度的不斷改善，它們泵浦的激光器功率比例也越來(lái)越大。半導體激光器的亮度提升有利于促進(jìn)更高效的亮度轉換。

　　正如我們所期待的那樣，空間和光譜亮度對未來(lái)的系統來(lái)說(shuō)將是必要的，這將使固體激光器中具有窄吸收特征的低量子缺陷泵浦和直接半導體激光器應用的密集波長(cháng)多路復用方案成為可能。

　　市場(chǎng)和應用

　　高功率半導體激光器的發(fā)展使得許多重要的應用成為可能。這些激光器已經(jīng)取代了許多傳統技術(shù)，并實(shí)現了全新產(chǎn)品類(lèi)別。

　　隨著(zhù)每十年成本和性能10倍以上的提高，高功率半導體激光器以不可預知的方式破壞了市場(chǎng)的正常運行。雖然很難準確預測未來(lái)的應用情況，但回顧過(guò)去三十年的發(fā)展歷程，為下一個(gè)十年的發(fā)展提供框架可能性是非常有意義的(見(jiàn)圖2)。

　　圖2. 大功率半導體激光器亮度燃料應用(每瓦亮度標準化成本)

　　20世紀80年代：光存儲和最初的小眾應用。光存儲是半導體激光器行業(yè)的第一個(gè)大型應用。就在霍爾最初展示了紅外半導體激光器之后不久，通用電氣公司的Nick Holonyak也展示了第一個(gè)可見(jiàn)紅光半導體激光器。二十年后，光盤(pán)(CD)被推向市場(chǎng)，隨后就出現了光存儲市場(chǎng)。

　　半導體激光器技術(shù)的不斷創(chuàng )新帶來(lái)了注入數字多功能光盤(pán)(DVD)和藍光光盤(pán)(BD)等光存儲技術(shù)的發(fā)展。這是半導體激光器的第一個(gè)大市場(chǎng)，但是通常適度的功率水平將其他應用限制在了相對較小的利基市場(chǎng)，如熱敏打印、醫療應用以及精選的航空和國防應用等。

　　20世紀90年代：光網(wǎng)絡(luò )盛行。在20世紀90年代，半導體激光器成為通信網(wǎng)絡(luò )的關(guān)鍵。半導體激光器被用于通過(guò)光纖網(wǎng)絡(luò )傳輸信號，但是用于光放大器的較高功率的單模泵浦激光器對于實(shí)現光網(wǎng)絡(luò )的規?；约罢嬲С只ヂ?lián)網(wǎng)數據的增長(cháng)是至關(guān)重要的。

　　其帶來(lái)的電信行業(yè)繁榮影響深遠，以高功率半導體激光器行業(yè)最初的先驅之一的Spectra Diode Labs (SDL)為例。SDL成立于1983年，由美國Newport集團旗下的激光器品牌Spectra-Physics(光譜物理)和施樂(lè )(Xerox)合資組建，1995年上市，市值約1億美元。五年后，SDL在電信業(yè)高峰期間以超過(guò)400億美元的價(jià)格出售給JDSU，這也是歷史上最大的技術(shù)收購之一。不久之后，電信業(yè)泡沫破滅，摧毀了數萬(wàn)億美元的資本，現在被視為歷史上最大的泡沫。

　　2000年代：激光成為一種工具。雖然電信市場(chǎng)泡沫的破滅極具破壞性，但對大功率半導體激光器的巨額投資為更廣泛的采用奠定了基礎。隨著(zhù)性能和成本的提高，這些激光器在各種各樣的工藝中開(kāi)始取代傳統的氣體激光器或其他能量轉換源。

　　半導體激光器已經(jīng)成為廣泛使用的工具。工業(yè)應用范圍從傳統的制造工藝(如切割和焊接)到新的先進(jìn)制造技術(shù)(如3D打印金屬部件的增材制造)等。微型制造應用更加多樣化，因為諸如智能手機之類(lèi)的關(guān)鍵產(chǎn)品已經(jīng)通過(guò)這些激光器而實(shí)現了商業(yè)化。航空航天和國防應用涉及廣泛的關(guān)鍵任務(wù)應用，未來(lái)還可能將包括下一代定向能源系統。

　　總結

　　50多年前，摩爾并未提出一個(gè)新的物理基本定律，而是對十年前最初研究過(guò)的集成電路提出了極大改進(jìn)。他的預言持續了數十年，并帶來(lái)了一系列顛覆性的創(chuàng )新，而這些創(chuàng )新在1965年是不可想象的。

　　當Hall在50多年前展示半導體激光器時(shí)，就引發(fā)了一場(chǎng)技術(shù)革命。與摩爾定律一樣，沒(méi)有人能夠預測大量創(chuàng )新所實(shí)現的高功率半導體激光器亮度隨后帶來(lái)的高速發(fā)展。

　　物理學(xué)中并沒(méi)有根本的法則來(lái)控制這些技術(shù)改進(jìn)，但是持續的技術(shù)進(jìn)展可能會(huì )推進(jìn)激光器在亮度方面的提升。這種趨勢將會(huì )持續取代傳統技術(shù)，從而進(jìn)一步改變事情的發(fā)展方式。對經(jīng)濟增長(cháng)更為重要的是，高功率半導體激光器還將促進(jìn)新事物的誕生。