國內首臺集成電路ALD設備進(jìn)駐上海集成電路研發(fā)中心

　　近日，由北方華創(chuàng )下屬子公司北方華創(chuàng )微電子自主研發(fā)的國內首臺12英寸原子層沉積(AtomicLayerDeposition，ALD)設備進(jìn)駐上海集成電路研發(fā)中心。北方華創(chuàng )微電子為國產(chǎn)高端裝備在先進(jìn)集成電路芯片生產(chǎn)線(xiàn)的應用再添新秀。

　　ALD設備是先進(jìn)集成電路制造工藝中必不可少的薄膜沉積設備，ALD工藝具有工藝溫度低、薄膜厚度控制精確及臺階覆蓋率高等優(yōu)點(diǎn)。在集成電路特征線(xiàn)寬發(fā)展到28納米節點(diǎn)后，ALD工藝應用日益廣泛。北方華創(chuàng )微電子自2014年開(kāi)始布局ALD設備的開(kāi)發(fā)計劃，歷時(shí)四年，成功推出中國首臺應用于集成電路領(lǐng)域的量產(chǎn)型單片ALD設備——PolarisA630，應用于沉積集成電路器件中的高介電常數和金屬柵極薄膜材料，設備的核心技術(shù)指標達到國際先進(jìn)水平。

　　此次，北方華創(chuàng )微電子PolarisA630ALD設備以參與公開(kāi)競標方式，成功進(jìn)駐上海集成電路研發(fā)中心有限公司，同時(shí)中標的產(chǎn)品還有北方華創(chuàng )微電子集成電路AlPad工藝的eVictorA1030物理氣相沉積系統。至此，北方華創(chuàng )微電子已有硅刻蝕機、單片退火設備、HardmaskPVD、AlPadPVD、單片清洗機、立式爐、ALD等集成電路設備應用于28-14納米工藝制程，擴展了國產(chǎn)高端裝備在集成電路先進(jìn)制程的配套應用范圍。