【深度解析】LED照明發(fā)展的巨大瓶頸：熱阻技術(shù)檢測

　　熱阻即熱量在熱流路徑上遇到的阻力，反映介質(zhì)或介質(zhì)間的傳熱能力的大小，表明了1W熱量所引起的溫升大小，單位為℃/W或K/W?？梢杂靡粋€(gè)類(lèi)比來(lái)解釋?zhuān)绻麩崃肯喈斢陔娏?，溫差相當于電壓，則熱阻相當于電阻。通常，LED器件在應用中，結構熱阻分布為芯片襯底、襯底與LED支架的粘結層、LED支架、LED器件外掛散熱體及自由空間的熱阻，熱阻通道成串聯(lián)關(guān)系。

　　LED燈具作為新型節能燈具在照明過(guò)程中只是將30-40%的電能轉換成光，其余的全部變成了熱能，熱能的存在促使我們必須要關(guān)注LED封裝器件的熱阻。一般，LED的功率越高，LED熱效應越明顯，因熱效應而導致的問(wèn)題也突顯出來(lái)，例如，芯片高溫的紅移現象；結溫過(guò)高對芯片的永久性破壞；熒光粉層的發(fā)光效率降低及加速老化；色溫漂移現象；熱應力引起的機械失效等。這些都直接影響了LED的發(fā)光效率、波長(cháng)、正向壓降以及使用壽命。LED散熱已經(jīng)成為燈具發(fā)展的巨大瓶頸。

　　應如何評估LED封裝器件的散熱水平？

　　應用舉例

　　1.封裝器件熱阻測試

　?。?）測試方法一：

　　測試熱阻的過(guò)程中，封裝產(chǎn)品一般的散熱路徑為芯片-固晶層-支架或基板-焊錫膏-輔助測試基板-導熱連接材料。

　　側面結構及散熱路徑

　　根據測試，可以得出如下述的熱阻曲線(xiàn)圖，可讀出測試產(chǎn)品總熱阻（整個(gè)散熱路徑）為7.377K/W。該方法測試出的熱阻需根據測試樣品的結構，判定曲線(xiàn)中的熱阻分層，獲得封裝器件的準確熱阻。該方法更適合SMD封裝器件。

　　熱阻曲線(xiàn)圖

　?。?）測試方法二：

　　與方法一不同，該方法需經(jīng)過(guò)兩次熱阻測試，對比得出的熱阻，可精確到器件基板外殼，無(wú)附帶測試基板數值。

　　兩次測試的分別：第一次測量，器件直接接觸到基板熱沉上；第二次測量，器件和基板熱沉中間夾著(zhù)導熱雙面膠。由于兩次散熱路徑的改變僅僅發(fā)生在器件封裝殼之外，因此結構函數上兩次測量的分界處就代表了器件的殼。如下圖所示的曲線(xiàn)變化，可得出器件的精確熱阻。該方法適合COB封裝器件。

　　多次測試的熱阻曲線(xiàn)對比圖

　?。?）利用結構函數識別器件的結構

　　常規的，芯片、支架或基板、測試輔助基板或冷板這三層的熱阻和熱容相對較小，而固晶層和導熱連接材料的熱阻和熱容相對較大。

　　如下面結構函數顯示，結構函數上越靠近 y 軸的地方代表著(zhù)實(shí)際熱流傳導路徑上接近芯片有源區的結構，而越遠離 y 軸的地方代表著(zhù)熱流傳導路徑上離有源區較遠的結構。積分結構函數是熱容—熱阻函數，曲線(xiàn)上平坦的區域代表器件內部熱阻大、熱容小的結構，陡峭的區域代表器 件內部熱阻小、熱容大的結構。微分結構函數中，波峰與波谷的拐點(diǎn)就是兩種結構的分界處，便于識別器件內部的各層結構。在結構函數的末端，其值趨向于一條垂 直的漸近線(xiàn)，此時(shí)代表熱流傳導到了空氣層，由于空氣的體積無(wú)窮大，因此熱容也就無(wú)窮大。從原點(diǎn)到這條漸近線(xiàn)之間的 x 值就是結區到空氣環(huán)境的熱阻，也就是穩態(tài)情況下的熱阻。

　　熱阻曲線(xiàn)的兩種結構函數

　　2.封裝器件內部的缺陷

　　固晶層內部缺陷展示

　　對比上面兩個(gè)器件的剖面結構，固晶層可見(jiàn)明顯差異。如下圖，左邊為正常產(chǎn)品，右邊為固晶層有缺陷的產(chǎn)品。

　　固晶層缺陷引發(fā)的熱阻變大

　　根據上圖顯示，固晶層缺陷會(huì )造成的熱阻增大，影響散熱性能，具體的影響程度與缺陷的大小有關(guān)。

　　3.結構無(wú)損檢測

　　同批次產(chǎn)品，取固晶層完好、邊緣缺陷以及中間缺陷的樣品測試。固晶完好的固晶層應為矩形，而邊緣和中間存在缺陷，則固晶層不規則，下圖兩種缺陷的圖片。

　　固晶缺陷示意圖

　　測試出三條熱阻曲線(xiàn)。由于三次測試的芯片是一樣的，因此在結構函數中表征芯片部分的曲線(xiàn)是完全重合在一起的。隨著(zhù)固晶層損傷程度的增加，該結構層的熱阻逐漸變大。這是由于空洞阻塞了有效的散熱通道造成的。

　　固晶缺陷熱阻值對比

　　根據測試結果，不僅可以定性地找出存在缺陷的結構，而且還能定量得到缺陷引起的熱阻的變化量。

　　4.老化試驗表征手段

　　下圖為一個(gè)高溫高濕老化案例中同一樣品不同時(shí)期的熱阻曲線(xiàn)。

　　老化后的熱阻漂移現象

　　老化前后，從芯片后波峰的移動(dòng)可以清晰地看出由于老化造成的分層，導致了芯片粘結層的熱阻增大。對樣品不同階段的熱阻測試，可得到每層結構的熱阻變化，根據變化分析老化機理，從而改善產(chǎn)品散熱性能。

　　5.接觸熱阻的測量

　　隨著(zhù)半導體制造技術(shù)的不斷成熟，熱界面材料的熱性能已經(jīng)成為制約高性能封裝產(chǎn)品的瓶頸。接觸熱阻的大小與材料、接觸質(zhì)量是息息相關(guān)的。常規的接觸材料或方式有：（1）導熱膠；（2）導熱墊片；（3）螺釘連接；（4）干接觸。下圖為對于接觸熱阻的一次專(zhuān)門(mén)測試。

　　不同接觸方式的熱阻

　　由上圖發(fā)現，接觸熱阻的大小不僅與接觸材料有關(guān)，還與接觸的質(zhì)量有關(guān)。接觸材料的導熱系數越大，接觸熱阻越小。接觸質(zhì)量越好，接觸熱阻越小。

　　6.熱電參數特性舉例

　　電壓溫度曲線(xiàn)

　　由上圖可見(jiàn)，隨著(zhù)溫度的上升，該樣品LED的電壓呈線(xiàn)性遞減。

　　光通量溫度曲線(xiàn)

　　由上圖可見(jiàn)，隨著(zhù)溫度的上升，該樣品LED的光通量呈線(xiàn)性遞減。

　　色坐標漂移曲線(xiàn)

　　由上圖可知，隨著(zhù)溫度的上升，該樣品LED的色坐標會(huì )往高色溫方向漂移。