5G重塑RF技術(shù)演進(jìn)，Qorvo蓄勢待發(fā)

　　射頻功率組件市場(chǎng)將迎來(lái)一新波成長(cháng)潮。 市場(chǎng)研究機構Yole最新發(fā)布的《RF功率市場(chǎng)和技術(shù)趨勢-2017版》報告預計，未來(lái)5年5G通訊基礎建設對基站需求的增長(cháng)，將為RF功率組件市場(chǎng)注入新的成長(cháng)動(dòng)能;預估2016~2022年全球RF功率組件市場(chǎng)產(chǎn)值，將由15億美元攀升至25億美元，年復合成長(cháng)率可達9.8%。

　　新的無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )將需要更多的器件和更高的頻率。因此將會(huì )為芯片供應商帶來(lái)巨大的商機，尤其是RF功率半導體銷(xiāo)售商。預計包括基站和無(wú)線(xiàn)回程在內的電信基礎設施市場(chǎng)，將占據整體市場(chǎng)的半壁江山。2016~2022年期間，基站市場(chǎng)預計將以12.5%的復合年增長(cháng)率持續快速增長(cháng)，而電信回程市場(chǎng)的復合年增長(cháng)率預計將為5.3%。

　　Yole預估在未來(lái)的幾年間，隨著(zhù)電信基站升級和smallcell小型基站需求的增長(cháng)，市場(chǎng)將會(huì )強勁增長(cháng)。2016年至2022年底，整體市場(chǎng)收入可能會(huì )上漲75%，在此期間復合增長(cháng)率達到9.8%，市場(chǎng)規模從2016年的15億美元到2022年的25億美元。今日，市場(chǎng)正在跨過(guò)4G網(wǎng)絡(luò )建置完成的門(mén)檻，然后開(kāi)始向5G轉型。當然，過(guò)程中還有很多待解決和建置的部分。然而，新的無(wú)線(xiàn)射頻網(wǎng)絡(luò )將需要更多的裝置設備和更高的頻率這兩點(diǎn)是無(wú)庸置疑的。芯片供應商，特別是RF功率半導體廠(chǎng)商，將因此擁有巨大的發(fā)展機會(huì )。

　　與此同時(shí)，伴隨著(zhù)採用GaAs和GaN的固態(tài)技術(shù)取代舊式真空管設計的趨勢，國防方面的應用也為射頻功率裝置提供了絕佳的機會(huì )。這些新技術(shù)因應各種使用情境，提供了更好的性能、減小的尺寸和可靠度。有鑑于此，它們的所佔的市場(chǎng)份額逐漸增加。到2022年，該市場(chǎng)區隔的收入將增長(cháng)20%左右，而2016年至2022年的年均複合增長(cháng)率為4.3%。

　　Yole的技術(shù)和市場(chǎng)分析師ZhenZong表示：“在接下來(lái)的5年，5G時(shí)代將逐步實(shí)現，如此的革命性轉型將重塑RF技術(shù)發(fā)展的局勢。”不僅對智能手機應用來(lái)說(shuō)如此，3瓦以上的RF電信基礎設施應用和5G相關(guān)技術(shù)，將為RF功率市場(chǎng)中的化合物半導體提供相當可觀(guān)的商機。預計GaN將于未來(lái)5~10年成為3W以上RF功率應用的主流技術(shù)，GaAs基于其穩定性與不錯的性?xún)r(jià)比，也得以維持一定比重;至于LDMOS部分則將繼續衰退，市場(chǎng)規模跌至整體15%，然考慮到其高成熟性與低成本等，短期內在RF功率市場(chǎng)仍不至面臨淘汰。

　　RF功率組件廠(chǎng)商潛力無(wú)限，Qorvo蓄勢待發(fā)

　　伴隨RF功率組件發(fā)展趨勢日漸明朗，各家大廠(chǎng)開(kāi)始有所動(dòng)作、搶爭新一代科技的主導權：主流LDMOS供貨商包括恩智浦(NXP)、Ampleon、英飛凌(Infineon)等，正嘗試通過(guò)外部代工獲取GaN技術(shù);傳統GaAs廠(chǎng)商亦紛紛開(kāi)始著(zhù)重投資在此，少部分已成功將產(chǎn)能轉進(jìn)GaN、在市場(chǎng)拔得頭籌;至于純GaN供貨商如科銳(Cree)旗下的Wolfspeed，一方面為L(cháng)DMOS大廠(chǎng)供應相關(guān)組件、壯大市場(chǎng)，一方面則努力確保自身在GaN技術(shù)發(fā)展的領(lǐng)先地位。

　　Yole指出，待GaN組件成為主流，掌握GaN市場(chǎng)的廠(chǎng)商將取代LDMOS主力廠(chǎng)商，成為RF功率市場(chǎng)領(lǐng)導者?，F階段除Wolfspeed，該領(lǐng)域領(lǐng)導廠(chǎng)商幾乎都是由GaAs廠(chǎng)商轉進(jìn)。 就近期包括Infineon收購Wolfspeed受阻于美國政府、和康電訊(M/A-COM)與Infineon間的訴訟等相關(guān)事件來(lái)看，該領(lǐng)域的競爭似乎也日趨白熱化。而在背后還隱藏著(zhù)一哥射頻大玩家——Qorvo。2015年，射頻前端模組領(lǐng)域兩大廠(chǎng)商Triquint和RFMD合并成了今天的Qorvo，成就了今天FEM市場(chǎng)的領(lǐng)跑者之一。

　　作為射頻領(lǐng)域的專(zhuān)家，Qorvo 預測， 8GHz 以下砷化鎵仍是主流， 8GHz 以上氮化鎵替代趨勢明顯。砷化 鎵作為一種寬禁帶半導體，可承受更高工作電壓，意味著(zhù)其功率密度及可工作溫度更高，因而具有高功率密度、能耗低、適合高頻率、支持寬帶寬等特點(diǎn)，包括Qorvo在內的幾個(gè)業(yè)界先驅已經(jīng)在GaN上投入了巨額資金研究。Qorvo認為GaN具有高功率密度、寬頻性能、高功率處理、輸入功率穩定、減少零件尺寸和數量等特點(diǎn)，讓其受到功率放大器和無(wú)線(xiàn)基礎設施等市場(chǎng)的青睞。Qorvo將利用其在毫米波和GaN on Sic技術(shù)上的專(zhuān)業(yè)知識, 全面助力網(wǎng)絡(luò )設備服務(wù)提供商5G進(jìn)程的實(shí)現。

　　Qorvo在5G相關(guān)領(lǐng)域也積累了許多核心技術(shù)。從 LowDrift™ 和 NoDrift™ 濾波技術(shù)和天線(xiàn)調諧到 RF Fusion™ 和RF Flex™ 射頻前端解決方案，再到更加基礎的GaN技術(shù)，Qorvo提供了行業(yè)領(lǐng)先的核心架構，濾波器和開(kāi)關(guān)產(chǎn)品。此外Qorvo還與運營(yíng)商和標準機構合作，讓5G理想變?yōu)楝F實(shí)。

　　目前Qorvo有兩條重要的產(chǎn)品線(xiàn)：移動(dòng)設備產(chǎn)品線(xiàn)、 基礎設施(MP)和國防產(chǎn)品線(xiàn) (Infrastructure and Defense Product, IDP)，這兩個(gè)產(chǎn)品線(xiàn)分別針對不同的市場(chǎng)，并在先進(jìn)技術(shù)研發(fā)方面存在互補關(guān)系。產(chǎn)品種類(lèi)已經(jīng)全面覆蓋使用多種工藝(GaN，GaAs等)實(shí)現的功放，收發(fā)機，LNA，射頻開(kāi)關(guān)，以及BAW和SAW濾波器。每一個(gè)產(chǎn)品種類(lèi)下都有豐富的產(chǎn)品型號，并在射頻鏈路中占據重要地位。除了有先進(jìn)的技術(shù)研發(fā)外，Qorvo還擁有獨立的封裝廠(chǎng)和制造廠(chǎng)，有利于控制成本和穩定質(zhì)量，加快高集成度產(chǎn)品的研發(fā)進(jìn)度。