2010~2018年Sony影像傳感器產(chǎn)能變化及目標

　　2016年全球影像傳感器(含CMOS與CIS技術(shù))出貨金額約為104億美元，由于智能型手機朝雙鏡頭、多鏡頭發(fā)展，將使影像傳感器搭載數量增加，且自動(dòng)對焦、高畫(huà)素化等規格提升亦帶動(dòng)出貨單價(jià)上揚，預測全球影像傳感器出貨額可望自2017年112億美元漸成長(cháng)至2020年近138億美元。

　　互補式金屬氧化物半導體(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor;CMOS)為影像傳感器主流技術(shù)，DIGITIMES Research觀(guān)察，2016年Sony與三星于全球CMOS影像傳感器(CMOS Image Sensor;CIS)市場(chǎng)營(yíng)收占有率分別為45%及15%，居前兩大地位，且皆擬定增產(chǎn)計劃， 以12吋晶圓投片量為基準，2018年上半CIS月產(chǎn)能將分別提升至10萬(wàn)及4.5萬(wàn)片。

　　2016年底Sony CIS月產(chǎn)能(含自制與外包)以12吋晶圓換算，約為8.5萬(wàn)片，看好全球CIS市場(chǎng)將持續成長(cháng)，Sony規劃2017日本會(huì )計年度(2017年4月至2018年3月，以下簡(jiǎn)稱(chēng)年度)半導體資本支出為1,100億日圓(約10億美元)，主要將用于2018年3月提升其CIS月產(chǎn)能至10萬(wàn)片，并朝2020年達月產(chǎn)12萬(wàn)片目標邁進(jìn) ，以維持龍頭地位。

　　為追趕龍頭廠(chǎng)Sony，三星將增產(chǎn)CIS，由于三星在2017年7月啟用半導體平澤新廠(chǎng)后，其N(xiāo)AND Flash將漸移往平澤廠(chǎng)生產(chǎn)，華城廠(chǎng)空出的部分產(chǎn)能將用來(lái)增產(chǎn)CIS，三星計劃2018年上半完成華城廠(chǎng)第11產(chǎn)線(xiàn)轉為量產(chǎn)CIS。

　　DIGITIMES Research觀(guān)察，2018年上半Sony與三星于CIS月產(chǎn)能差距將為5.5萬(wàn)片，對照2017年上半兩公司CIS月產(chǎn)能分別為8.5萬(wàn)片及3萬(wàn)片，三星暫難縮小雙方產(chǎn)能差距，且Sony在中高階CIS居領(lǐng)先地位，Sony于全球CIS龍頭地位不易被撼動(dòng)。

　　2010~2018年Sony影像傳感器產(chǎn)能變化及目標

　　注：包括Sony自制及外包產(chǎn)能。

　　數據源：Sony，DIGITIMES Research整理，2017/6