閃速存儲器芯片AT29系列的典型應用
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多年來(lái)，單片機系統都使用SRAM隨機存儲器。而存儲器在電源關(guān)閉時(shí)的數據是否能夠保持是令用戶(hù)和生產(chǎn)廠(chǎng)家都感興趣的問(wèn)題?，F代半導體存儲器技術(shù)已進(jìn)入納米級容積和納秒級速度階段，各種規格的存儲器也相繼出現。AT29系列芯片是一種與通用的SRAM如6264、62256等在芯片引腳、讀出與接口方法上都完全兼容的存儲器，而且寫(xiě)、擦數據可編程。本文描述了AT29C010的編程（寫(xiě)）操作方法。
AT29系列的編程是一個(gè)簡(jiǎn)單的可重復的過(guò)程。將每種芯片的總存儲量劃分成為數個(gè)存儲陣列（扇區），每次編程一個(gè)扇區，不同型號存儲器的扇區容量和扇區數不相同，其標識也就不同。AT29C系列在單電源5V或3V時(shí)的編程時(shí)間分別為10ms或20ms。其中AT29C系列中的AT29C256共含有512個(gè)扇區，每個(gè)扇區為64字節；AT29C040含有1024個(gè)扇區，每個(gè)扇區各為512字節。如果在準備好數據和扇區號的情況下，所有AT29系列的編程可使用同一個(gè)算法，而僅需三條LOAD命令，稱(chēng)為“寫(xiě)保護數據”（SDP）。在三條命令之后是編程寫(xiě)入等待時(shí)間（Twc）。寫(xiě)數據保護手段可用于訪(fǎng)問(wèn)廠(chǎng)家標識、芯片標識、寫(xiě)數據和擦除數據等操作，而只有讀數據操作不必事先進(jìn)行“寫(xiě)數據保護”。三條LOAD命令按操作不同而略有區別。如訪(fǎng)問(wèn)芯片標識裝入‘90H’和‘F0H’，寫(xiě)數據到指定扇區則為‘A0H’，而擦除操作則為‘80H’和‘10H’。三條LOAD命令的流程如圖1所示。圖中括號內為DATA總線(xiàn)上的數據，箭頭右邊是AT29的芯片地址。AT29C010系統寫(xiě)數據保護的運行時(shí)序如圖2所示。
2 AT29C010的性能特點(diǎn)
AT29C010具有低功耗、可重復編程、存儲容量大以及可進(jìn)行數據保護等功能和特點(diǎn)。它的動(dòng)態(tài)工作電流為50mA。同時(shí)具有CMOS保持狀態(tài)，此狀態(tài)下的電流為100μA。其每扇區可重復編程和擦除次數大于1萬(wàn)次，寫(xiě)定時(shí)周期為10ms，讀出時(shí)間達70ns，AT29C010的存儲容量為1兆位（128×8）存儲單元、1024個(gè)128字節扇區，同時(shí)還帶有內部可控制定時(shí)器和兩個(gè)8k字節塊封鎖，以及軟件數據保護和編程結束檢驗功能。所有AT29系列芯片的出廠(chǎng)標識均為1FH。表1列出了AT29C系列芯片在采用單5V電源時(shí)的性能比較。
以AT89C51為核心的單片機系統一般都連接有SRAM數據存儲器，而利用AT29C010可在關(guān)閉電源前將數據保存起來(lái)。圖3所示是AT89C51和AT29C010的接口電路，其中的地址范圍分別為：
由于Write＿Sector匯編程序先要執行“寫(xiě)數據保護”命令，因此，A0～A2的地址線(xiàn)分別由AT89C51的P0、P2提供，A13～A16則由P1的低4位提供。在寫(xiě)操作中，讀信號始終為HIGH高電平。下列延時(shí)程序中的delay 10ms假設為已知。具體程序如下：
b lock—number EQU08h；扇區高端地址A13～A16
的內容
s ector—size EQU7Fh；數據長(cháng)度0～127 
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