華虹宏力閃耀CITE2017 核心技術(shù)喜獲金獎

　　2017年4月9日-11日，第五屆中國電子信息博覽會(huì )(CITE2017)在深圳會(huì )展中心如期舉行。全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠(chǎng)──華虹半導體有限公司(股份代號：1347.HK)之全資子公司上海華虹宏力半導體制造有限公司(“華虹宏力”)連續第二年參展。今年華虹宏力不僅獨立設置展區，還攜最新技術(shù)和產(chǎn)品閃亮登場(chǎng)中國高端芯片聯(lián)盟專(zhuān)區和傳感器與物聯(lián)網(wǎng)聯(lián)盟專(zhuān)區，集中展示了作為中國半導體產(chǎn)業(yè)主力軍的風(fēng)采。同時(shí)，還憑借“600V-1200V場(chǎng)截止型IGBT芯片制造工藝技術(shù)”在 “CITE創(chuàng )新之夜”頒獎典禮上榮獲“2017CITE創(chuàng )新產(chǎn)品和應用金獎”。上個(gè)月，該項目剛摘得“第十一屆(2016 年度)中國半導體創(chuàng )新產(chǎn)品和技術(shù)”獎。

　　展會(huì )期間，工業(yè)和信息化部副部長(cháng)劉利華及電子信息司司長(cháng)刁石京等領(lǐng)導興致勃勃地來(lái)到公司的展臺前，觀(guān)看了我們的展品和企業(yè)介紹。

　　華虹宏力流線(xiàn)型展臺的右側，大幅海報將華虹宏力二十載制“芯”之路娓娓道來(lái)。另一側，以“科技創(chuàng )芯，智造未來(lái)”為主題，公司給新老朋友們準備了最新的工藝及產(chǎn)品解決方案。華虹宏力擁有全球領(lǐng)先的嵌入式非易失性存儲器(eNVM)工藝平臺組合，涵蓋OTP、MTP、EEPROM和Flash等技術(shù)。2016年，基于此技術(shù)平臺的智能卡出貨量高達22億顆，其中SIM卡出貨18億顆，占全球33%的市場(chǎng)份額。采用公司eNVM技術(shù)制造的金融IC卡芯片產(chǎn)品分別通過(guò)了EMVCo、CC EAL5+、萬(wàn)事達CQM認證等多項國際權威認證，獲得了中國“芯”拓展海內外金融IC卡市場(chǎng)的“通行證”。目前，華虹宏力90納米eNVM工藝已成功量產(chǎn)。應對迅猛發(fā)展的微控制器(MCU)市場(chǎng)，華虹宏力推出了業(yè)界領(lǐng)先的0.11 微米超低漏電(ULL)嵌入式閃存及eEEPROM技術(shù)平臺，可提供全面、靈活、極具競爭力的解決方案。

　　功率器件技術(shù)平臺是華虹宏力又一戰略重點(diǎn)。隨著(zhù)新能源汽車(chē)、智能家電等市場(chǎng)勁升，功率器件需求量大幅上漲。華虹宏力作為全球首家、最大的功率分立器件200mm代工廠(chǎng)，在功率器件產(chǎn)品穩定量產(chǎn)上擁有15年的經(jīng)驗，可為客戶(hù)提供獨特的、富有競爭力的超級結MOSFET(SJNFET)和場(chǎng)截止型IGBT(FS IGBT)工藝。值得一提的是，此次獲獎的“600V-1200V場(chǎng)截止型IGBT芯片制造工藝技術(shù)”可提供深溝槽刻蝕、鈍化、超薄片加工(包括背面注入、激光退火、背面金屬化)等國際領(lǐng)先技術(shù)。IGBT作為功率器件的主流發(fā)展方向，已在變頻家電、工業(yè)控制、汽車(chē)電子、新能源、智能電網(wǎng)等諸多領(lǐng)域獲得廣泛應用，市場(chǎng)前景廣闊。華虹宏力將持續創(chuàng )新，致力于為客戶(hù)提供高品質(zhì)、高可靠性的IGBT芯片制造代工服務(wù)。

　　另外，作為完整的功率IC代工方案提供商，華虹宏力還擁有久經(jīng)驗證的CMOS模擬和更高功率密度的BCD/CDMOS工藝平臺，為PMIC、智能電表、快速充電等熱點(diǎn)應用打造高能效、低成本、質(zhì)量可靠的工藝平臺。