盤(pán)點(diǎn)+點(diǎn)評:2016中國半導體行業(yè)十大事件
6 貴州華芯通成立,目標ARM架構服務(wù)器芯片
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/201701/342584.htm2016年1月17日,高通公司與貴州省相關(guān)部門(mén)以18.5億元(約2.8億美元)合資成立貴州華芯通半導體技術(shù)有限公司,進(jìn)行服務(wù)器芯片的設計、開(kāi)發(fā)與銷(xiāo)售。2016年11月18日,華芯通宣布正式啟用位于北京望京地區的北京研發(fā)中心。目前,公司已獲得來(lái)自ARM v8-A架構授權和技術(shù)轉移,將開(kāi)發(fā)10納米的服務(wù)器芯片。

點(diǎn)評:長(cháng)期以來(lái),我國在通用CPU領(lǐng)域一直受制于人。信息通信技術(shù)的深度融合以及云計算/大數據和SDN/NFV的快速發(fā)展,正在推動(dòng)計算架構、網(wǎng)絡(luò )架構、存儲架構向通用化方向演進(jìn)。這對互聯(lián)網(wǎng)服務(wù)器CPU提出了全新的規格需求,同時(shí)也給我國發(fā)展CPU產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了新一輪的黃金發(fā)展機遇期。以互聯(lián)網(wǎng)服務(wù)器CPU為切入點(diǎn),實(shí)現在高端服務(wù)器及通用CPU領(lǐng)域的安全自主可控發(fā)展是當務(wù)之急。
7 手機芯片開(kāi)啟10nm時(shí)代,中國通信芯片走向高端
2016年,全球智能手機芯片市場(chǎng)的競爭越來(lái)越激烈,“寡頭競爭”趨勢已經(jīng)十分明顯?!肮杨^”間的碰撞則不斷朝中高端市場(chǎng)延伸。高通采用10nm工藝的驍龍835發(fā)布,聯(lián)發(fā)科、華為海思也將采用該工藝生產(chǎn)芯片,華為海思將推出采用10nm工藝的麒麟970,聯(lián)發(fā)科的Helio X30也將采用10nm工藝。
點(diǎn)評:集成電路是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎。近年來(lái),在國家一系列產(chǎn)業(yè)政策的扶持推動(dòng)下,中國IC產(chǎn)業(yè)取得了一定發(fā)展。2016年,中國集成電路銷(xiāo)售收入預計達到1518.52億元(約合228.35億美元),相比2015年增長(cháng)23.04%。然而,另一方面,整體技術(shù)水平不高、核心產(chǎn)品創(chuàng )新能力不足等問(wèn)題依然存在,特別是在CPU、存儲器等高端領(lǐng)域,芯片產(chǎn)品發(fā)展不力,產(chǎn)業(yè)結構存在著(zhù)較為嚴重的缺位情況。目前,通信芯片是中國IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況最好的部分,下一步需要解決中國高端芯片發(fā)展不足的問(wèn)題。
8 中芯長(cháng)電半導體規模量產(chǎn),進(jìn)入到14納米產(chǎn)業(yè)鏈
2016年7月28日,中芯國際與長(cháng)電科技合資成立的中芯長(cháng)電半導體有限公司舉行了14納米凸塊加工量產(chǎn)儀式。中芯長(cháng)電半導體的12英寸28納米凸塊加工技術(shù)在2015年底已通過(guò)客戶(hù)的產(chǎn)品驗證,成為國內第一家、也是唯一一家可提供14納米凸塊加工中段硅片制造服務(wù)的公司。凸塊加工是中段硅片制造的基本工藝之一,在強調高性能、低功耗、小尺寸的移動(dòng)智能芯片中被廣泛應用。
點(diǎn)評:隨著(zhù)移動(dòng)智能時(shí)代的發(fā)展,集成電路芯片對性能、功耗、面積的要求越來(lái)越高,傳統的芯片架構越來(lái)越力不從心,中段工藝在半導體制造產(chǎn)業(yè)鏈中已成為必不可少的關(guān)鍵環(huán)節。中芯長(cháng)電半導體項目量產(chǎn)表明我國在半導體制造工藝上取得重大突破,意味著(zhù)我國首次成功打通了移動(dòng)智能通信芯片加工制造產(chǎn)業(yè)鏈的全部環(huán)節,為我國集成電路企業(yè)參與國際頂級陣營(yíng)的競爭,奠定了堅實(shí)基礎。
9 硅襯底LED項目獲國家技術(shù)發(fā)明一等獎,核心專(zhuān)利實(shí)現突破
2016年1月8日,南昌大學(xué)硅襯底LED項目獲得2015年度國家技術(shù)發(fā)明獎中唯一的一等獎。根據生長(cháng)襯底不同,藍光LED技術(shù)有三條主流技術(shù)路線(xiàn):日本的藍寶石襯底LED技術(shù)、美國的碳化硅襯底LED技術(shù)和中國的硅襯底LED技術(shù),而前兩條技術(shù)路線(xiàn)已經(jīng)被歐、美、日等國占盡先機。經(jīng)過(guò)多年的運作,五家國際大企業(yè)已經(jīng)通過(guò)交叉授權等手段,在LED產(chǎn)業(yè)構筑了森嚴的專(zhuān)利壁壘。硅襯底LED技術(shù)實(shí)現了產(chǎn)業(yè)化,獲授權發(fā)明專(zhuān)利68項,實(shí)現了核心部件的每一層都有專(zhuān)利保護。

點(diǎn)評:硅襯底LED技術(shù)從源頭上避開(kāi)了發(fā)達國家的技術(shù)壁壘,不僅從實(shí)驗室走向了國際市場(chǎng),更是已經(jīng)具備了大規模產(chǎn)業(yè)化能力,成為提升我國LED照明產(chǎn)業(yè)國際地位和競爭力的關(guān)鍵。隨著(zhù)硅襯底LED技術(shù)和工藝的成熟,產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程也將隨之加快,其產(chǎn)品有望向一系列性能更高、附加值更高的照明領(lǐng)域延伸。
10 2016年中國光伏裝機31GW,繼續領(lǐng)跑全球
太陽(yáng)能行業(yè)咨詢(xún)公司Mercom Capital發(fā)布了一份研究報告:預測2016年光伏裝機量將高達76GW,而中國將以高達31GW的總裝機量繼續領(lǐng)跑全球光伏市場(chǎng)。這也是中國自2013年以來(lái),連續四年獲得光伏裝機總量的第一名。該研究報告分析稱(chēng),中國光伏搶裝潮之后的需求放緩,導致市場(chǎng)出現供大于求的情況,致使組件價(jià)格大幅下跌,但低組件價(jià)格有助于2017年的需求恢復。預計2017年全球太陽(yáng)能需求前景并不會(huì )像預期那樣放緩,反而有所改觀(guān)。

點(diǎn)評:2016年全球光伏裝機量驚人的增長(cháng)速度部分原因可以歸功于中國在2016年上半年出現的光伏搶裝潮和第四季度的強勁表現。有研究報告稱(chēng),由于中國裝機量出現了前所未有的熱潮,國家能源局將太陽(yáng)能安裝目標從2020年的150GW減少到110GW,減少了27%。
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