EMI測試那點(diǎn)事——高速數據引起的EMI問(wèn)題

該電子設備為300MHz頻段專(zhuān)用的無(wú)線(xiàn)通信設備，EMC認證沒(méi)有問(wèn)題，但該設備自身工作并不正常，以前曾用頻譜儀配近場(chǎng)探頭測試過(guò)，發(fā)現在嵌入式射頻發(fā)射電路板內FPGA處有較強的EMI輻射，造成底噪升高，使得該通信設備發(fā)射信號信噪比降低，影響通信質(zhì)量。多次整改設計方案，效果不明顯。

實(shí)測過(guò)程：

既然客戶(hù)已經(jīng)測試過(guò)EMI，我們首先用MDO進(jìn)行驗證，在0~330MHz跨度內測試該電路板EMI問(wèn)題，果然發(fā)現底噪抬升明顯，EMI問(wèn)題十分嚴重。用近場(chǎng)探頭逐點(diǎn)探測，的確在該電路板FPGA處底噪抬升最為明顯，說(shuō)明該電路EMI源自此FPGA。此FPGA面積不大，很容易屏蔽，因此通過(guò)EMC認證沒(méi)有問(wèn)題，關(guān)鍵是此電路板射頻射頻輸出信噪比差自身特性受影響。由于FPGA是此電路板的心臟，一旦定型，很難改動(dòng)，如果重新設計，等于是從頭再來(lái)，不可接受。觀(guān)察一段時(shí)間，我們發(fā)現該底噪抬升是隨時(shí)間變化的，于是我們分別存儲了底噪最高時(shí)和底噪最低時(shí)的兩個(gè)結果如下：

此時(shí)為底噪較高時(shí)，達-65dBm。

此時(shí)為底噪較低時(shí)，最高底噪幅度不超過(guò)-80dBm。

對于幅度隨時(shí)間變化的頻譜，MDO的優(yōu)勢在于調制域分析，為此我們打開(kāi)MDO幅度隨時(shí)間變化曲線(xiàn)顯示功能，用MDO射頻功率觸發(fā)得到如下測試結果：

從測試結果看，觸發(fā)點(diǎn)處底噪幅度最高，在280MHz以及432MHz處達-59dBm。圖中上半部分顯示，突發(fā)幅度呈周期性變化，用MDO時(shí)域光標，可以測試出其周期為94uS。我們移動(dòng)代表頻譜分析時(shí)間段的橙色條到突發(fā)幅度右側的幾條線(xiàn)處，得到測試結果如下：