攜手獨立型芯片商　高通大啖多模無(wú)線(xiàn)充電商機

不同于聯(lián)發(fā)科、博通(Broadcom)等處理器大廠(chǎng)自行開(kāi)發(fā)產(chǎn)品的模式，高通(Qualcomm)則與獨立型無(wú)線(xiàn)充電芯片商如IDT和安森美(On Semiconductor)展開(kāi)合作，共同設計多模無(wú)線(xiàn)充電接收器(Rx)與傳送器(Tx)芯片，以加速拱大無(wú)線(xiàn)充電市場(chǎng)大餅。

高通產(chǎn)品管理資深總監Mark Hunsicker表示，該公司已先后與IDT、安森美達成協(xié)議，將共同開(kāi)發(fā)第一代和第二代整合磁感應(Magnetic Induction)和磁共振(Magnetic Resonance)技術(shù)的多模無(wú)線(xiàn)充電Tx和Rx芯片，而最后的芯片所有權將歸高通所有。

Hunsicker指出，高通將以上述芯片為基礎，開(kāi)發(fā)出完整的Rx和Tx參考設計并提交給無(wú)線(xiàn)電力聯(lián)盟(A4WP)進(jìn)行認證，再提供給授權廠(chǎng)商，以滿(mǎn)足眾多品牌客戶(hù)對多模無(wú)線(xiàn)充電方案的需求。

高通同時(shí)布局多模無(wú)線(xiàn)充電的Rx和Tx，主要目的是建置完整的系統，讓無(wú)線(xiàn)充電在智能手機、平板裝置等產(chǎn)品皆可順暢運作，且合乎法規要求，并加速市場(chǎng)普及。至今，高通已有兩款Tx產(chǎn)品通過(guò)A4WP認證。

Hunsicker認為，多模方案存在的時(shí)間應該會(huì )歷經(jīng)兩代智能手機，以每一代智能手機的產(chǎn)品生命周期約18～24個(gè)月推估，兩代時(shí)間約達48個(gè)月，這段時(shí)間終端消費者會(huì )使用雙模無(wú)線(xiàn)充電模式的產(chǎn)品;而在過(guò)渡期之后，支援單模磁共振的智能手機數量將會(huì )大增。

也因此，Hunsicker強調，該公司針對無(wú)線(xiàn)充電市場(chǎng)主要仍最關(guān)注磁共振標實(shí)姆⒄梗事實(shí)上，現階段已有不少源始設備制造商(OEM)在開(kāi)發(fā)支援單模A4WP磁共振無(wú)線(xiàn)充電技術(shù)的智能手機。