SSD前景因延遲和錯誤率蒙上陰影

加州大學(xué)和微軟的研究發(fā)現，隨著(zhù)芯片尺寸縮小，NAND Flash記憶體會(huì )出現顯著(zhù)的性能退化。當電路尺寸從今天的25nm縮小到6.5nm，SSD的延遲會(huì )增加一倍。

加州大學(xué)的研究生Laura Grupp說(shuō)，他們測試了7家SSD供應商的45種不同類(lèi)型NAND Flash芯片，這些芯片采用了72nm到25nm的光刻工藝，發(fā)現芯片尺寸縮小伴隨著(zhù)性能退化和錯誤率增加。TLC (三層存儲單元)NAND的性能最差，之后是MLC(雙層存儲單元)NAND和SLC(單層存儲單元)NAND。研究人員說(shuō)，由于性能退化，基于MLC NAND的固態(tài)硬盤(pán)難以超過(guò)4TB，基于TLC NAND的固態(tài)硬盤(pán)難以突破16TB，因此固態(tài)硬盤(pán)的未來(lái)之路可能在2024年到頭。