IBM重大技術(shù)突破 能耗低于NAND閃存技術(shù)

根據Computerworld網(wǎng)站報道，IBM研究人員在自旋電子學(xué)領(lǐng)域(“自旋遷移電子學(xué)”的簡(jiǎn)稱(chēng))取得了重大技術(shù)突破，能夠利用電子在磁場(chǎng)內的自旋并結合讀寫(xiě)頭，在半導體材料上記錄和讀取數位數據，可以將電子自旋周期延長(cháng)30倍，從而有望突破內存行業(yè)面臨的“極限困境”，在未來(lái)引發(fā)新一輪“存儲革命”。

對于自旋電子學(xué)來(lái)說(shuō)，一直面臨一個(gè)固有的問(wèn)題，因為電子“向上或向下”的方向狀態(tài)只能保持100皮秒(1納秒的千分之一)。100皮秒不足以進(jìn)行一次運算，所以晶體管不能完成運算功能，數據存儲也不持久。

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電子螺旋式自旋模式圖(來(lái)源Computerworld網(wǎng)站)

IBM的研究人員采用砷化鎵作為其主要半導體材料進(jìn)行研究，當半導體材料的尺寸縮小到電子流不再受控時(shí)，通過(guò)電子的電荷變化來(lái)進(jìn)行數據的編碼與處理的技術(shù)就受到了限制。針對NAND閃存產(chǎn)品所使用的電路寬度已經(jīng)小于20納米，然而通過(guò)控制電子的自旋而非電荷，自旋電子學(xué)能夠克服內存行業(yè)所面臨的這一困境。

據悉，早在自旋電子學(xué)領(lǐng)域，法國斯特拉斯堡材料物理與化學(xué)研究中心的物理學(xué)家們在自旋電子學(xué)的基礎上建立了新型激光技術(shù)，可以利用激光來(lái)加速硬盤(pán)的存儲輸入/輸出，使其比現有讀寫(xiě)速度提高10萬(wàn)倍。

IBM的研究人員表示，他們取得的突破為晶體管和非易失性存儲開(kāi)辟了道路，這種新型存儲技術(shù)的能耗將會(huì )遠低于今天的NAND閃存技術(shù)。