對單片機系統可行的EMS技術(shù)方法

3.3 其他EMS技術(shù)應用

(1)在單片機系統的長(cháng)線(xiàn)傳輸中，采用雙絞屏蔽線(xiàn)做傳輸線(xiàn)能有效的抑制共模噪場(chǎng)及電磁場(chǎng)干擾。但應注意必需對傳輸線(xiàn)進(jìn)行阻抗匹配，以免產(chǎn)生反射，使信號失真。

(2)單片機系統外圍電路設計時(shí)要注意電平匹配。如TTL“1”電平是2.4~5伏，“0”電平是0~0.4伏;而CMOS輸入“1”電平是 4.99~5伏，“0“電平是0~0.01伏。因此，當CMOS器件接受TTL輸出時(shí)，其輸入端就要加電平轉換器或上拉電阻，否則，CMOS器件就會(huì )處于不確定狀態(tài)。

(3)單片機進(jìn)行擴展時(shí)，不應超過(guò)其驅動(dòng)能力，否則將會(huì )使整個(gè)系統工作不正常。如果要超負載驅動(dòng)，則應加上總線(xiàn)驅動(dòng)器，如74LS244、74LS245等。

(4)CMOS電路不使用的輸入端不允許浮空。否則會(huì )引起邏輯電平不正常，易接受外界干擾產(chǎn)生誤動(dòng)作。在設計時(shí)可根據實(shí)際情況，將多余的輸入端與正電源或地相連接。