鎂光：3D閃存芯片能讓手機擁有更多內存容量

　　近日在加州圣克拉拉舉行的閃存峰會(huì )(Flash Memory Summit)上，鎂光公布了他們的首款 3D NAND 閃存芯片。這種閃存芯片在不改變尺寸的情況下能提供更多的儲存空間。據 PCWorld 報道，鎂光這款 3D 閃存芯片的容量為 32GB，其目標市場(chǎng)為中高端的智能手機。該產(chǎn)品基于新的 UFS 2.1 標準，市面上的智能手機均未使用這種理論上更快的儲存協(xié)議。

　　鎂光認為智能手機對內存容量的需求越來(lái)越高，虛擬現實(shí)應用和流媒體都將占用大量的儲存空間。他們表示，在幾年之內智能手機的內存容量可能會(huì )達到如今 PC 的水平，具體來(lái)說(shuō)，大概在 2020 年就會(huì )觸及 1TB。不過(guò)，這家公司并未透露自家用于移動(dòng)設備 3D 閃存芯片的發(fā)展路線(xiàn)圖。

　　與傳統的 2D NAND 水平排布儲存單元不同，3D NAND 使用垂直的方式排布儲存單元，這種方式既能擁有更高的容量，又能讓芯片間的通訊變快。

　　3D NAND 閃存芯片技術(shù)并非鎂光獨有，英特爾和三星都已經(jīng)在 SSD 上應用了這種技術(shù)，相關(guān)產(chǎn)品的容量只會(huì )越來(lái)越大。