海茲定律要接摩爾定律的班？

　　2015年是LED產(chǎn)業(yè)很低潮的一年，尤其是中上游，經(jīng)歷了產(chǎn)能過(guò)剩，芯片與燈珠一個(gè)月一個(gè)價(jià)，跌跌不休讓芯片與燈珠的議價(jià)幾乎是一個(gè)很痛苦的過(guò)程，相信很多從事LED技術(shù)的人跟我一樣有一種不如歸去的感覺(jué)，所以我封筆一年進(jìn)行無(wú)言的抗議!

　　去年的秋天，當我在日本福岡參加2015年WUPP for wide bandgap Semiconductors論壇與2014年諾貝爾物理獎得主天野浩教授交流之后，我對這個(gè)行業(yè)又燃起了一線(xiàn)曙光，這也是我今天在封筆一年之后給大家的一個(gè)2016新年獻禮。

　　2015年8月的WUPP會(huì )議

　　大學(xué)或研究所的時(shí)候，如果是電子或半導體科系的學(xué)生一定會(huì )修固體物理或半導體物理，我們知道IC有摩爾定律，但是由于課程的編排，在化合物半導體這部分比較少著(zhù)墨，所以很少人知道在化合物半導體里面的光電領(lǐng)域有一個(gè)LED海茲定律。

　　先看看IC的摩爾定律：

　　集成電路芯片上所集成的電路的數目，每隔18個(gè)月就翻一倍，微處理器的性能每隔18個(gè)月提高一倍，或價(jià)格下降一半。

　　如下圖所示：這個(gè)定律在2010年20納米制程之后就有一點(diǎn)欲振乏力了，摩爾定律遭遇了一個(gè)嚴酷的考驗，科學(xué)家與半導體工程師都絞盡腦汁延長(cháng)摩爾定律，在半導體技術(shù)上尋求突破?

　　微觀(guān)的摩爾定律

　　巨觀(guān)的摩爾定律

　　效能與速度的摩爾定律

　　關(guān)鍵時(shí)刻總是會(huì )有一個(gè)英雄來(lái)拯救，美國加州大學(xué)伯克利分校杰出講座教授胡正明教授就是半導體行業(yè)的救星，他發(fā)明了一種FinFET技術(shù)，可以將半導體制程線(xiàn)寬縮小到10納米到12納米的制程(柵極的線(xiàn)寬越窄，處理器的工作速率越快)。

　　詳細技術(shù)細節請看下圖所示，當別人絞盡腦汁利用曝光技術(shù)縮小線(xiàn)寬極限的時(shí)候，他首先解決晶體做薄后漏電的問(wèn)題，反其道而行的向上發(fā)展，晶片內構從水平變成垂直。

　　這個(gè)技術(shù)不但延長(cháng)了摩爾定律，也讓我們人類(lèi)在這個(gè)電子資訊時(shí)代生活更快捷更便利。

　　FinFET技術(shù)示意圖